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目 录
TOC \o 1-3 \h \z \u 一.常用逻辑电平标准 2
1.1 COMS电平 3
1.2 LVCOMS电平 3
2.1 TTL电平 4
2.2 LVTTL电平 4
3.1 LVDS电平 5
4.1 PECL(VCC=5V)/LVPECL(VCC=3.3V)电平 5
5.1 CML电平 6
6.1 VML电平 6
7.1 HSTL电平 6
7.2 SSTL电平 7
二．常用接口电平标准 7
1. RS232、RS485、 RS422 7
2 DDR1 ,DDR2,DDR3 8
3 PCIE2. 0、PCIE3.0 8
4 USB2.0, USB3.0 10
5 SATA2.0, SATA3.0 10
6 GTX高速接口 11
一.常用逻辑电平标准
附图1：
附图2：
附图3：
附图4：
1.1 COMS电平
电平参数
条件
最大值
典型值
最小值
单位
备注
电源电压（VCC）
5.5
5
4.5
V
输入高压（VIH）
3.5
V
输入低压（VIL)
1.5
V
输出高压（VOH)
4.44
V
输出低压（VOL）
0.5
V
共模电压（VT）
2.5
V
最高速率
传输延迟时间(25-50ns)
耦合方式
1.2 LVCOMS电平
LVCOMS电平参数
条件
最大值
典型值
最小值
单位
备注
电源电压（VCC）
3.6
3.3
2.7
V
输入高压（VIH）
0.7VCC
V
输入低压（VIL)
0.2VCC
V
输出高压（VOH)
VCC-0.1
V
输出低压（VOL）
0.1
V
共模电压（VT）
0.5VCC
V
最高速率
耦合方式
2.1 TTL电平
电平参数
条件
最大值
典型值
最小值
单位
备注
电源电压（VCC）
5.5
5
4.5
V
输入高压（VIH）
2
V
输入低压（VIL)
0.8
V
输出高压（VOH)
2.4
V
输出低压（VOL）
0.5
V
共模电压（VT）
1.5
V
最高速率
传输延迟时间(5-10ns)，
耦合方式
2.2 LVTTL电平
电平参数
条件
最大值
典型值
最小值
单位
备注
电源电压（VCC）
3.6
3.3
3
V
输入高压（VIH）
2
V
输入低压（VIL)
0.8
V
输出高压（VOH)
2.4
V
输出低压（VOL）
0.4
V
共模电压（VT）
1.5
V
最高速率
耦合方式
3.1 LVDS电平
最高速率：3.125Gbps
耦合方式：
4.1 PECL(VCC=5V)/LVPECL(VCC=3.3V)电平
最高速率：LVPECL为10+Gbps
耦合方式：
5.1 CML电平
最高速率： 10+Gbps
耦合方式：VCC相同时CML与CML之间采用直流耦合，VCC不同时CML与CML之间采用交流耦合
6.1 VML电平
电平参数
条件
最大值
典型值
最小值
单位
备注
电源电压（VCC）
V
输入高压（VIH）
V
输入低压（VIL)
V
输出高压（VOH)
1.65
V
输出低压（VOL）
0.85
V
共模电压（VT）
1.25
V
最高速率
耦合方式
VML电平与LVDS电平兼容，TLK2711输出是VML电平。
7.1 HSTL电平
HSTL 最主要的应用是可以用于高速存储器读可。
7.2 SSTL电平
该标准专门针对高速内存(特别是SDRAM)接口，它可获得高达200MHz的工作频率，SSTL 主要用于DDR 存储器。和HSTL 基本相同。Vnot;not;CCIO=2.5V，输入为输入为
比较器结构，比较器一端接参考电平1.25V，另一端接输入信号。对参考电平要求比较高(1%
精度),HSTL 和SSTL 大多用在300M 以下.
二．常用接口电平标准
1. RS232、RS485、 RS422
2 DDR1 ,DDR2,DDR3
备注
DDR4: 速率1.6～3.2Gbps；I/O接口 SSTL_12； VDD 1.2V；
3 PCIE2. 0、PCIE3.0
参考时钟直流规范
辅助信号直流规范
4 USB2.0, U
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