半导体发光二极管讲义.pptVIP

定义：半导体p-n结或与其类似的结构加电压时以高效率发光的 器件。Light emitting diode , LED 二十世纪90年代才研制出高亮度LED。 颜色：紫外、紫光、蓝光、绿光、黄光、橙光、红光、红外、 白光 / LED水下灯饰 白光LED发光原理  提高复合几率（內量子效率）:量子阱结构 提高出光效率 (1)发光波长（λ）；一般用nm表示。 (2)正向电压:20mA时所用电压；一般用Vf 。 (3)输出光功率: 20mA时的输出光功率，用mW，W表示。 20mA时的输出光功率，单位：坎德拉，cd；mcd； 照明光源：流明/瓦；lm/W； 白炽灯（25lm/W）； 日光灯（80lm/W） (4)反向漏电流：反向5伏或10伏时的反向电流。 LED外延片结构：同质结、异质结、双异质结、 量子阱、量子点 发光二极管材料的选择： 1. 带隙宽度合适 2.有合适的衬底材料 3. 可获得高电导率n型和p型材料 4. 载流子复合几率大,可获得异质 结或量子阱结构 增加外量子效率：厚的窗口层及透明基板 表面编织 改变芯片几何形状 采用光子晶体技术 * South China Normal University * South China Normal University * South China Normal University 半导体发光二极管 1、发光二极管定义和应用 根据应用划分的超高亮度发光二极管市场 LED照明的会议室 汽车灯 草坪灯 LED特点：电压低，小于5伏； 响应时间短，几十 nS； 寿命长，几万小时以上; 耗能低； 无污染 LED应用：背光源、大屏幕显示、灯具、防伪、生物、医学 白光LED流明效率达到150流明/瓦（ lm/W） 流明效率已经超过日光灯（80lm/W) 在电流作用下，n型层的电子和p型层的空穴发生扩散，电子和空穴复合发光。 2、LED发光原理 可见光波长：380nm～770nm(700nm), 发光二极管波长：紫:380-410nm; 蓝:430-480nm; 绿:510-550nm; 黄:570-600nm; 红:620-700nm 发光波长由光子能量决定,光子能量一般由禁带宽度决定 光子能量:E= hυ υ：频率，h：普朗克常数 （4.14×10-15eV·s） 发光波长:λ=c/υ=hc/E=1240/E（nm） 禁带宽度2.0eV, 发光波长：620nm 1:蓝光芯片激发黄光荧光粉: 成本低,应用最广 2:紫光或紫外光芯片激发蓝,黄,红荧光粉 芯片发光效率不高 3:红,绿,蓝芯片组合 成本高,高档场所应用 注入的电子和空穴数目； 非辐射复合中心的数目； 辐射复合几率； 出光效率 3、决定LED强度因素 hv n p 获得较高载流子浓度的p型和n型材料； 减少缺陷和杂质浓度； 提高电子和空穴的复合几率； 提高出光效率。 4、提高LED性能途径 5、LED的电流电压特性和性能参数 外延片生长 芯片制备 封装 n型电极 p型电极 / 6、LED制备流程 （1）外延片生长： 金属有机气相沉积 metal organnic chemical vapor deposition（MOCVD） 生长参数： 温度、气压、原材料、 流量、 掺杂剂量 热电偶 尾气管 GaN-MOCVD反应室管 有机源 NH3 光学探头 冷却水 尾气管 (CH3)3Ga + NH3 GaN + 3CH4 H2 蓝宝石 缓冲层 未掺杂GaN n-GaN:Si P-AlGaN:Mg Barrier GaN Well InGaN P-GaN:Mg 金属电极 n-AlGaN:Si 金属电极 量子阱 （2）芯片制备： 光刻