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第四章 光通信器件 本章内容 物质与光的互作用 半导体发光机理 半导体激光器（LD） 半导体发光二极管（LED） 光放大器 半导体光检测器工作原理 PIN-PD和APD的工作特性 无源器件 4.1 物质与光的互作用 电子的跃迁 介质材料中，存在着三种电子的跃迁过程，对应着三种光与物质的互作用过程 受激吸收 自发发射 受激发射 发光与光的放大 在热平衡状态下，分布为： 受激吸收和受激发射的速率分别比例与N1和N2 N1N2---正常状态---受激吸收受激发射----吸收物质 N1N2---粒子数反转状态---受激发射受激吸收----激活物质 如果外部有合适频率的光信号进入粒子数反转区，则在受激辐射的作用下，该光信号被放大、光子数倍增，原有光波特点保留 4.2 半导体发光机理 纯净半导体晶体的能带 半导体晶体的晶格结构使分立的能级形成具有一定宽度的能带 在共价晶体中，最外层的电子和相邻的原子形成共价键 通常把价电子所占据的能带称为价带 价带以上的能带（被自由电子占据）称为导带 价带顶和导带底之间的能量差为 Eg，称为禁带宽度或带隙 半导体晶体的能带 在热平衡状态，能量为E的能级被电子占据的概率为费米分布 材料的费米能级 Ef 是一个参考能级，EEf 的能级，被电子占据的可能性小于1/2，而对于 EEf 的能级，被电子占据的可能性大于1/2。 PN结的形成 P型半导体与N型半导体接触时，在边界面上，由于载流子浓度不同，出现扩散 P区空穴浓度高，向N区扩散 N区电子浓度高，向P区扩散 载流子扩散后，打破了原先的电平衡，在P区和N区的界面附近形成自建场，方向从N区指向P区 载流子在自建场作用下发生漂移，方向与扩散运动相反 载流子的扩散运动和漂移运动终将取得平衡，此时PN结形成 PN结的特点 自建场的方向由 N 区指向 P 区 空间电荷区几乎没有载流子存在，又称为耗尽区 PN 结具有单向导电性 当在 N 区加正电压 P 区接地时，外加电场与自建场方向一致，加强了自建场，在漂移作用下，耗尽区变宽，PN 结电阻愈大，几乎不导电 当在 P 区加正电压 N 区接地时，外加电场与自建场方向相向，抵消了自建场，当完全抵消自建场时，在载流子的扩散作用下，PN 结开始导电 有源区的形成 4.3 半导体发光二极管（LED） LED工作原理 LED：Light-Emitting Diode，发光二极管 发光原理：基于半导体PN结自发辐射机理 适当材料的半导体PN结加正向电压就可构成LED 适当材料：有源区电子-空穴可以产生辐射复合，从而产生发光的半导体材料 LED的结构 同质结指制作P区和N区均使用同一种半导体掺杂制成 同质PN结发光效率比较低 电子-空穴分布范围大，浓度低，增益低 PN结与P区和N区的相对折射率差小，杂散方向上光子多，不能有效反馈、输出 LED的结构 异质结结构指在有源区的两边加上相异的宽带隙的半导体材料 异质结结构，特别是双异质结结构，对载流子和光子都形成约束，大大提高了发光效率 双异质结的工作原理 LED的结构 根据光输出位置不同可分为面发射型LED和边发射型LED LED的P-I特性 输出光功率基本上与注入电流成正比 典型值： 工作电流：50~100mA 正向电压：1.2~1.8V 入纤功率在-20dBm(10μw)量级 频谱特性 LED没有谐振腔，其光谱就是半导体材料的自发辐射谱 LED的发射谱线较宽 GaAlAs LED谱线宽度约30~50nm InGaAsP LED谱线宽度约60~120nm 面发光LED较边发光LED的谱宽更宽 温度特性 温度升高，输出功率有所下降 温度升高，输出光谱展宽，谱中心右移 总体上，由于LED不是阈值器件，因此与LD相比，温度对LED的影响相对较小 光束发射特性 LED发出的光束为非相干光，可视作朗伯光源，空间发散角较大 面发光LED光束的辐射功率随角度的变化而呈余弦变化，光束的半功率发散角为120° 边发光LED由于在平行于PN结的方向有异质结的折射率变化约束，因此光束的垂直发射角小一些，约30~50°，另外一个方向上发射角较大，约120° LED的常用典型值 出纤功率 典型值：-20dBm 调制带宽 100Mbps以上 半功率谱线宽度 50~120nm 工作电流 100mA 4.4 半导体激光器（LD） LD工作原理 LD：Laser Diode，半导体激光器 发光原理：基于半导体PN结受激辐射机理 构成：对光频具有放大作用的激活物质、选频机构和反馈机构 激射条件 当PN结外加正向电压形成有源区后，还不能产生激光 产生激光的两个条件 存在光学谐振腔（振荡的必要条件：反馈）