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PAGE 15 硕 士 研 究 生 课 程 论 文 课程名称：现代冶金研究方法 题目：区域熔炼法制备高纯铟的研究及优化 学 院： 材料科学与工程学院 专业（方向）： 冶金工程 学 生： 程小强 学 号： 102016140 指 导 老 师： 李义兵 完 成 时 间： 2017.1.8 区域熔炼法制备高纯铟的研究及优化 程小强 （桂林理工大学，桂林 541004 ） 摘要: 目前高纯铟常用的制备方法有电解法、真空蒸馏法、区域熔炼法三种,电解法工艺条件易控制,但耗能巨大,提纯效果相对较差,我国目前生产4N精铟的企业都采用电解精炼法;真空蒸馏法虽流程简单,无污染,能耗低,但对于饱和蒸气压和铟相近的金属(如铅)则无法除去;而区域熔炼法可制备5N~6N铟,但其存在成本高、过程耗时的缺点。针对目前区域熔炼法存在的问题，在实验装置、变量控制和工艺条件等方面进一步优化完善。 关键词：区域熔炼；高纯铟；金属；提纯；工艺；材料 Preparation of High-purity Indium Optimization by Zone Refining CHENG Xiao-Qiang （Guilin University of Technology, Guilin, 541004 ） Abstract: Currently the preparation of high-purity indium common electrolytic method, vacuum distillation method, three regional smelting, electrolysis process conditions easy to control, but the energy is huge, relatively poor purification effect, Chinas current production of refined indium 4N enterprises have adopted electrolytic refining method; vacuum distillation process, although simple, non-polluting, low energy consumption, but the saturated vapor pressure and indium similar metals (such as lead) can not be removed; the zone melting method can be prepared 5N ~ 6N indium, but its existence high cost, time-consuming process shortcomings. For existing zone melting method problems, in terms of the experimental device, variable control and process conditions to further optimize the sound. Keywords: zone refining; high-purity indium; metal; purify; technology; material 1 前言 伴随着电子工业和军事等领域的高速发展，铟及其化合物的主要用途变得更加广泛，相关产业发展迅猛。铟锡氧化物(ITO)、半导体铟化合物、铟合金以及铟在电池防腐和现代军事技术中的应用不断拓展，这些领域所使用的铟都要求是高纯的,如电子器件、有机金属化合物中要求铟的杂质含量不超过10μg /g,铟作为Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体材料,在成品元件中大约1019个Ⅲ-Ⅴ族化合物原子中出现一个异质原子,这就要求纯铟材料中的杂质含量要小于0.01μg /g REF _Ref438389756 \r \h [1]。我国作为全世界已探明铟存量之冠，怎样获得高纯金属铟显得尤为重要。本文主要综述了目前国内外区域熔炼法制备高纯铟的进展及发展方向。 表1：主要产铟国的原生铟产量（单位：t） Table 1　Primary indium output in the main indium –producing coun