固体与半导体物理-前言.ppt

方解石 白云石 MgO 1958 IC 集成度10个元件/cm2 1978 IC 集成度10万个元件/cm2 1999 IC 集成度10000万个元件/cm2 摩尔定律成立： 集成度每18个月提高一倍 高纯(99.999999%)、大口径（~?300毫米） 的硅材料及高质量的III-V族化合物半导体 材料是制备所有IC的最重要的物质。 硅单晶直径： 1英寸（1950‘s） 4英寸(1960’s) 6英寸(1970‘s) 8英寸(1980’s) 10英寸 (1990‘s) 12英寸(2000) 16英寸（研究中） 全世界高纯单晶硅产量约4000吨，年产IC 数百亿块，直接间接产值10000亿美元。 从航天飞机、卫星、计算机、移动通信、 CD、VCD、DVD及各种微型电子设备到精 密制导武器、大型超视距雷达、各种战略 核导弹等等，均是以高速、大容量的IC为 基础建成的。 六、相关领域发展简史 1、计算机发展简史： 1945 第一台电子计算机问世： 每秒运算5000次、体积100立方米 1970′s 大型计算机运算速度： 1000万次/秒 1999 ： 10 亿次/秒 [美]克雷机、[中]银河机 2、微型计算机发展： 1981 IBM-PC 主频 1 MHz 1982 IBM-PC/XT 主频 2 MHz 1984 IBM-PC/AT 主频 4 MHz 1985 386计算机 主频 16 MHz 1989 486计算机 主频 64 MHz 1993 Pentium计算机 主频 133 MHz 1996 P-II计算机 主频 256 MHz 1999 P-III计算机 主频 500 MHz P-IV计算机 主频 1.3 GHz 2002 P-IV计算机 主频 1.9 GHz 3、磁性记录发展简况 1889 钢丝式磁录音机的实用化（丹麦） 1928 Fe3O4微粒涂布式磁带（德国） 1935 环型磁头德发明（日本） 1953磁带装置在计算机外围存储设备中应用（美国） 1957 磁盘装置在计算机中德应用（美国） 1974~1977 日本开始垂直磁记录研究 1979 小型磁盘（compact disc）问世 （荷兰Philip公司） 1982 涂布式Ba铁氧体（垂直磁化）磁带 问世 1988 巨磁阻（GMR）效应 1994 GMR磁头问世（IBM公司） 1996 数字式Video磁盘商品化 现代磁盘的记录面密度从1960年起，年均增加30%。从1991年起，年均增加60%。 1980 2 Mbit/in2 1984 20 Mbit/in2 1988 100 Mbit/in2 1994 1000 Mbit/in2 2000 34 GBit/in2 2002 80 GBit/in2 2010 1000 GBit.in2 4、超导物理研究进展 1911年荷兰物理学家卡麦琳·昂内斯（H. Kamerlingh Onnes）研究水银在低温下的电阻时，发现当温度降低至4.2 K以下后，水银的电阻突然消失，呈现零电阻状态。 昂内斯便把这种低温下物质具有零电阻的性能称为超导电性(superconductivity)。 后来又陆续发现了十多种金属（如Nb、Tc、Pb、La、V、Ta等）都有这种现象。 到1986年，人们已发现了常压下有28种元素、近5000种合金和化合物具有超导电性。 常压下，Nb的超导临界温度Tc＝9.26 K是元素中最高的。 有的元素只有在高压下(例如Cs、Ba、Bi、Y、Si、Ge等)或淀积在低温衬底上(例如Bi)才会呈现超导电性。 在合金和化合物中，临界温度最高的是Nb3Ge，Tc＝23.2K。 随后，人们还发现了氧化物超导材料和有机超导材料。 30年代建立了较完整的超导理论基础， 50年代又出现了BCS超导微观理论，发现了铌基超导金属间化合物。 60年代初期，一门新的技术——低温超导技术出现了。对在大电流、强磁场条件下使用超导体所遇到的一些问题才有比较正确的基本了解。 寻找高临界温度超导