第2章第1节发光二极管.pptVIP

第2章 电光信息转换 第2章 电光信息转换 第2章 电光信息转换器件 第2章 电光信息转换 §2.1 发光二极管 §2.1 发光二极管 §2.1.1 半导体光源的物理基础 在物质的原子中，存在许多能级，最低能级E1称为基态，能量比基态大的能级Ei(i=2,3,4…) 称为激发态。 受激吸收:外界入射光子能量近似等于E2-E1，电子会吸收光子由E1到E2 §2.1 发光二极管 §2.1 发光二极管 §2.1 发光二极管 §2.1 发光二极管 §2.1 发光二极管 §2.1 发光二极管 §2.1 发光二极管 §2.1.2发光二极管的工作原理、结构及驱动 §2.1.2发光二极管的工作原理、结构及驱动 §2.1.2发光二极管的工作原理、结构及驱动 §2.1.3 LED的特性 §2.1.4 LED的特点及应用 * 上一张 章首 下一张 结束 节首 目录 * 将电信号转换为光信号的器件称为电光转换器件。 必要性 接收信息 传输信息 基本要求 发光光谱特性 发光强度 稳定性 发光面积 发光效率 空间分布 寿命 §2.1 发光二极管（LED） 半导体光源的物理基础 LED的工作原理、结构及驱动 LED的特性 应用 E2 E1 hv E2 E1 hv E2 E1 hv hv hv 自发辐射：E2上电子不稳定，自发跃迁到低能级的E1，释放一个能量E2-E1光子 受激辐射： E2上电子,受到入射光，由E2跃迁到E1，释放一个能量E2-E1光子 一、三种跃迁 发光二极管与半导体激光器， 分别属于自发辐射和受激辐射 发光，前者辐射光非相干的， 后者辐射光是相干的 设在单位物质内，处于低能级E1和处于高能级E2的原子数分别为N1和N2。当系统处于热平衡状态时，原子分布遵循玻耳兹曼统计分布 式中， ，为玻耳兹曼常数，T为热力学温度。 在热平衡状态下，总是有N1N2。受激吸收速率大于受激辐射速率。当光通过这种物质时，光强按指数衰减，这种物质称为吸收物质。 如果 N2N1 ，即受激辐射速率大于受激吸收速率，当光通过这种物质时，就会产生放大作用，这种物质称为增益介质（或激活介质）。 半导体是由大量原子有序排列构成的共价晶体。 导带 带价 Ec Ev Ef Eg (b) N型半导体 (a) 本征半导体 导带 价带 Ec Ev Ef Eg (c) P型半导体 能级低的能带称为价带，能级高的能带称为导带， 能量之间的差称为禁带宽度，电子不能处于禁带。 根据量子统计理论，在热平衡状态下，能量为E的能级被电子占据的概率为费米-狄拉克分布 T→0，P(E) →0，这时导带上几乎没有电子，价带上 填满电子。Ef: 费米能级，用来描述半导体中各能级 被电子占据的状态，在费米能级中，被电子占据的和 空穴占据的概率相等。 本征半导体的能带结构 对于本征半导体，电子和空穴成对出现，费米能级在禁带的中间位置。 杂质半导体的费米能级的位置与杂质类型及掺杂浓度有密切关系 N型半导体，Ef将增大，导带的电子增多，价带的空穴 相对减小。 P型半导体，Ef将减小，导带的电子减小， 价带的空穴相对增多。 在P型和N型半导体组成的PN结界面上，由于存在多数载流子（电子或空穴）的梯度，因而产生扩散运动，形成内部电场，如下图所示。内部电场产生与扩散相反的漂移运动，直到P区与N区的Ef相同为止，结果能带发生倾斜。 当在PN结上加正向电压，产生于内部电场相反方向的外电场，结果能带倾斜减小，扩散增强。 电子的运动方向与电场相反，使N区的电子向P区运动，P区的空穴向N区运动，在PN结形成一个增益区，增益区的导带主要是电子，价带主要是空穴，结果获得粒子数反转分布。 电子和空穴的扩散过程中，导带电子可以跃迁到价带和空穴复合，产生自发辐射光 内建电场 空间电荷区 P N 空穴 电子 扩散 漂移 §2.1.2发光二极管的工作原理、结构及驱动 一、工作原理 发光二极管（light emitting diode，LED），是利用正向偏置PN结中电子与空穴的辐射复合发光的，是自发辐射发光，不需要较高的注入电流产生粒子数反转分布，也不需要光学谐振腔，发射的是非相干光 P N P-AIxGa1-xAs N-AIyGa1-yAs P- GaAs 光输出 图2.1.2-1双异质结半导体发光二极管的结构示意图 反型异质结 同型异质结