第8章(3)第2节门电路及第3节组合逻辑电路的分析和设计.ppt

MOS管的四种基本类型 G S D N 沟道耗尽型 G S D N 沟道增强型 G S D P 沟道增强型 G S D P 沟道耗尽型 在数字电路中，多采用增强型。 2、CMOS反相器工作原理 PMOS管 NMOS管 CMOS电路 VDD T1 T2 vI vO （1）电路结构 当NMOS管和PMOS管成对出现在电路中，且二者在工作中互补，称为CMOS管。 （a）结构示意图 （b）电路图 CMOS反相器 电路结构 Sp GP Dp DN GN SN A uI Y uO VDD S G D D G S B VP VN B A uI Y uO VDD S G D D G S B VP VN B 构成互补对称结构 要求VDD UGS(th)N +｜UGS(th)P｜且 UGS(th)N =｜UGS(th)P｜ 增强型 NMOS 管开启电压 A uI Y uO VDD B VP VN B PMOS管衬底接最高电位. 增强型 PMOS 管开启电压 （2）CMOS 非门的工作原理 增强型 NMOS 管 (驱动管) 增强型 PMOS 管(负载管) NMOS 管衬底接最低电位。 Sp GP Dp DN GN SN VDD TP TN vI vO vI=0（低电平） 截止 vo=“１” 导 通 Sp GP Dp DN GN SN vI=1(高电平VDD) VDD T1 T2 vI vO 导通 vo=“０” 截止 静态下，无论vI是高电平还是低电平，T1、T2总有 一个截止，因此CMOS反相器的静态功耗极小。 Sp GP Dp DN GN SN ①C＝0、C’＝1 ，即C 端为低电平（0V）、C’端为高电平（＋VDD）时， T1和T2都不具备开启条件而截止。 输入和输出之间相当于开关断开一样，呈高阻态。 3、CMOS传输门 增强型 PMOS 管，开启电压为低电平 增强型 NMOS 管，开启电压为高电平 G G D D S S ②C＝1、 C’＝0 ，即C 端为高电平（＋VDD）、 C’端为低电平（0V）时，T1和T2至少有一个导通，输入和输出之间相当于开关接通一样，呈低阻态，vo＝vi 。 G G D D S S 双向模拟开关 思考：P158 8-9 4、集成门电路的封装： 双列直插式 如：TTL门电路芯片（四2输入与非门，型号74LS00 ) 14脚双列直插 外形 管脚 多余输入端的处理 接 VCC 通过 1 ~ 10 k? 电阻接 VCC 与有用输入端并接 TTL 电路输入端悬空时相当于输入高电平， 与门和与非门等的多余输入端可悬空，但使用中多余输入端一般不悬空，以防止干扰。 或门和或非门的多余输入端接逻辑 0, 或者与有用输入端并接 思考：P158 8-10 1、概　述 2、组合逻辑电路的分析方法 3、组合逻辑电路的设计方法 第8章 第3节 第3、4点 组合逻辑电路的分析和设计方法 1、组合逻辑电路的特点与描述方法 组合逻辑电路的逻辑功能特点： 　　没有存储和记忆作用。 组合电路的组成特点： 　　由门电路构成，不含记忆单元，只存在从输入到输出的通路，没有反馈回路。 组合电路的描述方法主要有逻辑表达式、 真值表和逻辑图等。 组合逻辑电路的框图 组合逻辑电路在电路结构上不包含存储单元，仅仅是由各种门电路组成， 2、组合逻辑电路的分析方法 组合逻辑电路图 写出逻辑表达式 分析方法步骤： 化简 说明功能 列真值表 已知逻辑电路 说明逻辑功能 分 析 目标： 逻辑图 逻辑表达式 1 1 最简表达式 2 2 从输入到输出 逐级写出 化简 最简与或表达式 3 真值表 3 4 电路的逻辑功能 当输入A、B、C中有2个或3个为1时，输出Y为1，否则输出Y为0。 所以这个电路实际上是一种3人表决用的组合电路：只要有2票或3票同意，表决就通过。 4 0 0 0 1 0 1 1 1 P158 8-17 3、组合逻辑电路的基本设计方法 设计思路： 基本步骤： 分析给定逻辑要求，设计出能实现该功能的组合逻辑电路。 分析设计要求→列出真值表→求最简输出逻辑式→画逻辑图→ 工艺设计。 　　首先分析给定问题，弄清楚输入变量和输出变量是哪些，并规定它们的符号与逻辑取值(即规定它们何时取值 0 ，何时取值1) 。然后分析输出变量和输入变量间的逻辑关系，列出真值表。 　　根据真值表用代数法或卡诺图法求最简与或式，然后根据题中对门电路类型的要求，将最简与或式变换为与门类型对应的最简式。 组合逻辑电路设计举例 [例] 设计一个A、B、C三人表决电路。当表决某个提案时