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* 6.1 集成电路运算放大器中的电流源 6.2 差分式放大电路 6.3 集成电路运算放大器 6.4 集成电路运算放大器的主要参数 把整个电路中的元器件制作在一块硅 基片 上,构成特定功能的电子电路。 1 . 就集成度分:小规模﹑中规模﹑大规模﹑超大规模 (每块芯 片上可有上亿个元件) 2. 就导电类型分:双极型﹑单极型﹑两者兼容型 3. 就功能分:数字集成电路﹑模拟集成电路 集成电路: 由于制造工艺上的原因,模拟集成电路与分立元件电路相比有以下特点: (1)电阻和电容的值不宜做得太大 电路结构上采用直接耦合方式 由于集成电路中,电阻是利用NPN管的基区体电阻构成,电阻值的范围一般为几十欧~10千欧左右,阻值范围不大,且阻值精度不易控制,误差可达10%~20%。所以,若需要高阻值电阻,可用BJT或FET等组成的恒流源代替,或采用外接电阻的方法。 电容则采用PN结的结电容构成,约在100pF以下,误差也较大,因此电路结构只能采用直接耦合方式。 集成电路的特点 电感的制造则更加困难。 (2)为克服直接耦合电路的温度漂移,常采用差分式放大电路作为输入级 (3)尽量采用BJT(或FET)代替电阻﹑电容和二极管等元件 在集成电路制造工艺中,制造三极管(特别是NPN管)比制造其他元件容易,且占用面积小,性能好。因此常用BJT(或FET)构成恒流源作偏置电阻;将BJT的基极和集电极短接构成二极管﹑稳压管等;用复合管﹑共射—共基﹑共集—共基等组合电阻来改善单管电路的性能。 1. 镜像电流源 2. 微电流源 3. 流源用作有源负载 1. 镜像电流源 设T1、T2参数完全相同: β1=β2,ICEO1 = ICEO2,VBE1=VBE2 IE1 =IE2,IC1 = IC2 存在问题:当β不够大时, IC2与IREF 差异较大 IC2 = IC1 ≈ IREF =(Vcc—VBE)/ R ≈ Vcc / R R Rc T1 T2 Vcc 2IB IREF IC1 IE1 IC2 IC2相当于基准电流IREF的镜像 无论RC的值如何, IC2的电流值将保持不变。 IREF IC1 IC2 IB IC2 ≈ IREF IC2与IREF互为镜像 改进:带缓冲的镜像电流源: 镜像电流源电路适合用于较大工作电流(mA级)的场合,若需要IC2↓→ R↑,在集成电路中不易实现。故推出 微电流源(μA级) IREF = 利用T3的电流放大作用,减小IB 对I RFE的分流作用,提高IC3与I RFE 互成镜像的精度 T1 T2 R Vcc T3 IB2 IB1 R 2. 微电流源 IREF IC1 IE2 IC2 R Re2 2IB T1 T2 Vcc ∴IE2Re2 = V BE1-VBE2 ∵IE2Re2+ VBE2= VBE1(KVL方程) IE2 =(VBE1-VBE2)/ Re2 = ⊿V BE / Re2 ≈ IC2 ∵⊿V BE的数值很小 ∴ IC2亦很小,故称为微电流源 IREF=(Vcc—VBE) / R≈Vcc / R 当电源变化时→ IREF变化→ ⊿V BE变化很小→ IC2变化很小 (远小于IREF的变化) ∴ IC2较稳定 3. 电流源作有源负载 共射电路的电压增益为: 对于此电路Rc就是镜像电流源的交流电阻,一般在几百千欧以上 因此增益为 比用电阻Rc作负载时提高了。 放大管 镜像电流源 镜像电流源 镜像电流源 ? 直接耦合放大电路 ? 零点漂移 ? 电路组成及工作原理 ? 抑制零点漂移原理 6.2.0 概述 6.2.1 基本差分式放大电路 6.2.2 FET差分式放大电路 6.2.3 差分式放大电路的传输特性 ? 差分式放大电路中的一般概念 ? 主要指标计算 ? 几种方式指标比较 6.2.0 概述 1. 直接耦合放大电路 可以放大直流信号 2.直接耦合放大电路的零点漂移 零漂: 主要原因: 温漂指标: # 为什么一般的集成运算放大器都要采用直接耦合方式? 温度变化引起,也称温漂。 输入短路时,输 出仍有缓慢变化的电压产生。 温度每升高1度时,输出漂移电压按电压增益折算到输入端的等效输入漂移电压值。 电源电压波动也是原因之一 例如 若第一级漂了100 uV, 则输出漂移 1 V。 若第二级也漂了100 uV, 则输出漂移
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