材料学基础第三章.pptVIP

材料学基础 4）受主饱和 P型半导体的受主饱和与N型半导体的施主耗尽有相同之处。当受主杂质提供的空穴达到极限时，就产生了受主饱和。与施主耗尽相同，受主饱和的电导率温度曲线也存在着一个平台温度区间。 施主耗尽和受主饱和对于电气工程师是很重要的，因为它提供了电导率基本为常数的区域。 一般情况下，半导体往往同时含有施主杂质和受主杂质，这时半导体究竟属于N型还是P型要由两种杂质的浓度差别来确定。 材料学基础 三、PN结 1. 自建电场 自建电场一方面推动着带负电荷的电子沿电场的相反方向做漂移运动，即由P区向N区运动；另一方面又推动着带正电荷的空穴沿电场方向做漂移运动，即由N区向P区运动。这个自建电场的建立会阻碍空穴从P区进入N区，电子从N区进入P区。扩散运动与漂移运动相反，达到平衡。 自建电场 P型区 N型区 空间电荷区 电子由N向P区扩散 N界面附近留下正离子 空穴由P向N区扩散 P界面附近留下负离子 材料学基础 2. 空穴对外加电场的响应 P型区 N型区 P型区 N型区 加正向偏压 外加电场与自建电场的方向相反，打破了载流子扩散和漂移运动之间的平衡，使扩散运动超过了漂移运动。将源源不断地有电子从N型区扩散到P型区，有空穴从P型区扩散到N型区，成为非平衡载流子，这种现象称为PN结的正向注入。 加反向偏压 外电场的方向与自建电场的方向相同，增强了空间电荷区中的电场，载流子的漂移运动超过了扩散运动。这时N区中的空穴一旦达到空间电荷区边界，就要被电场拉向P区，P区中的电子一旦达到空间电荷区边界，也要被电场拉向N区，常称这种现象为PN结的反向抽取作用。 材料学基础 §2.4 磁性材料的电子结构 一、原子的磁矩 原子的磁矩主要由电子绕核运动的轨道磁矩和电子自旋磁矩两部分构成。 1．轨道磁矩 当一个电子沿着圆形轨道运动时，形成一个电流回路，与此同时产生一磁场，磁场与电流的大小成正比。 通过量子力学计算，电子轨道磁矩为： 式中，l为轨道量子数，μe 称为波尔磁子，是计算磁矩的最小单位。 材料学基础 2．自旋磁矩 除了轨道磁矩外，还有电子的自旋磁矩μs。 式中，S为自旋量子数。 原子磁矩是电子轨道磁矩和自旋磁矩合成的结果。 材料学基础 3．固有磁矩 当原子中某一电子层被电子填满时，该层的电子轨道磁矩互相抵消，电子的自旋磁矩也相互抵消，即该层的电子磁矩对原子磁矩没有贡献。 若原子中所有电子层全被电子填满，如惰性元素，净磁矩为零。此时称该元素不存在固有磁矩。 材料学基础 能显示固有磁矩的，是那些电子壳层未被填满的元素。这些元素中也分为两种情况： 一种情况是内层电子全部填满，只有外层价电子。价电子虽有净磁矩，但对多原子聚合体来说，各原子的净磁矩是互相抵消的，不显示固有磁矩。 另一种情况是内电子层未填满的，如过渡族元素（钢铁）、稀土元素，这些元素有固有磁矩，其大小以波尔磁子为单位来度量。 材料学基础 二、磁畴理论 铁磁质为什么具有强大的磁性？1907年法国物理学家外斯提出用磁畴的学说来解释铁磁性。 所谓磁畴指的是在没有外磁场的条件下铁磁质中的电子自旋磁矩可以在小范围内“自发的”排列起来，形成一个个小的“自发磁化区”。 （a）单晶磁畴结构示意图 （b）多晶磁畴结构示意图 单晶、多晶磁畴示意图 材料学基础 在无外磁场时，铁磁质内各个磁畴的取向是杂乱无章的，总磁矩为零，对外不呈现磁性。 磁畴的形成与温度有关，当达到一定温度时，形成磁畴的作用遭到破坏，磁畴解体，从而使铁磁质失去铁磁性而变成顺磁质，实现这种转变的温度就是居里温度。这是因为铁磁质中自发磁化区域因剧烈的原子热运动而遭到破坏，铁磁畴也就瓦解了。 无外磁场 有外磁场 有外磁场 有外磁场 有外磁场 磁场作用下的磁畴取向变化 顺磁场方向 磁畴体积变大 磁畴方向逐渐 转向磁场方向 材料学基础 三、材料与磁场的相互作用 1．定义 将一线圈在真空中通以电流产生磁场，得到的磁感应强度B=μ0H，μ0称为真空中的磁导率，H称为磁场