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- 2019-10-04 发布于湖北
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* * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * Physics of Semiconductors * * 作用: 杂质(以及缺陷)的存在,破坏了原有的周期性势场,产生附加势场 - 在禁带中引入电子能级; - 起散射中心, 复合中心作用 杂质在半导体中引入电子能级: ?浅能级杂质--产生的杂质能级:施主能级靠近导带底、受主能级靠近价带顶的杂质 ?深能级杂质--产生的杂质能级:施主能级远离导带底、受主能级远离价带顶的杂质 Physics of Semiconductors * * Ⅲ,Ⅴ族杂质在Si,Ge晶格中占据格点位置(替位式格点原子), 是浅能级杂质,起受主,施主作用.对半导体的电学性质有重要影响. ? Ⅴ族杂质在Si,Ge晶格中占据格点位置(替位式格点原子), 是浅能级杂质,起施主作用. ? Ⅲ族杂质在Si,Ge晶格中占据格点位置(替位式格点原子), 是浅能级杂质,起受主作用. Physics of Semiconductors * * 本征Si Si中的施主 Si中的受主 Physics of Semiconductors * *
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