集成电路工艺：刻蚀精编版.pptVIP

5. 总结 干法刻蚀的优点（与湿法刻蚀比） 1. 刻蚀剖面各向异性，非常好的侧壁剖面控制 2. 好的CD控制 3. 最小的光刻胶脱落或粘附问题 4. 好的片内、片间、批间的刻蚀均匀性 5. 化学品使用费用低 干法刻蚀的缺点（与湿法刻蚀比） 1. 对下层材料的刻蚀选择比较差 2. 等离子体诱导损伤 3. 设备昂贵 湿法刻蚀的优缺点： 优点： 1、应用范围广，适用于几乎所有材料。 2、选择性强 3、设备简单成本低，重复性好，适于大批量加工，效率高。 4、对器件不会带来等离子体损伤 缺点： 1、一般为各向同性腐蚀，容易出现侧向钻蚀。 2、由于液体存在表面张力，不适宜于腐蚀极细 的线条。 3、化学反应时往往伴随放热与放气，导致腐蚀不均匀。 4、需花费较高成本的反应溶液及去离子水。 5、化学药品处理时人员所遭遇的安全问题。 THANK YOU THE END 3. 干法刻蚀 1. 刻蚀过程 1）刻蚀气体进入反应腔（以CF4为例） 2）RF电场使反应气体分解电离，产生等离子体 3）等离子体包括高能电子、离子、原子、自由基等 4）反应正离