第六章 半导体电子论.ppt

p-n结电压-电流特性 某一反向电压下反向电流的突然增加是由于高电场使势垒区击穿。 6.6 金属-氧化物-半导体(MOS)结构 V 金属 氧化物 半导体 P型半导体硅，半导体接地，金属端（常称栅极）接正电位，在半导体中产生由上向下的电场。在电场作用下，硅和氧化物的交界处，空穴被赶走，留下带负电荷的电离受主杂质，形成空间电荷区，厚度为d。 如果栅极电压为负，情况如何？ E 理想的MOS表面势 带负电荷的电离受主杂质形成空间电荷区，其内存在电场，其电势是逐渐变化的，因此该区域内的半导体能带发生弯曲。 在空间电荷区内，价带边离费米能级EF比较远，表明在表面附近空穴被赶走，空穴浓度极低，因此该区是缺乏载流子的高阻区，类似与p-n结的势垒区，也是载流子耗尽区。 当金属上施加的正电压增大，表面势相应增大，能带更为弯曲。当费米能级高于表面处的本征能级EiB (禁带正中央) ，表面附近电子浓度将高于空穴浓度，由p型转换成n型，表面半导体导电类型与体内相反，所以称该区域为反型层。 因此，形成反型层的条件为： N沟道MOS晶体管 MOS结构常被用来制作能放大电信号或作信息存储单元的MOS晶体管。 源极（S）、漏极（D）、栅极（G）。 工作原理 相当于两个背靠背的p-n结，施加电压时，其中一个p-n结处于正向则另一个必处于反向，因此流过的电流很小。 施加栅极电压，形成反型层，大量电流通过。因此可以用加在栅极上的电压来控制流过源-漏之间的电流，从而放大栅极上的电信号。 n沟道和p沟道，只有一种载流子输运，称为单极型晶体管。 反型层中的二维电子气 E1 E2 E3 最低子带被占据的情况称为量子极限，MOS反型层成为理想二维电子气体 非平衡载流子的复合机理 在前面提到非平衡载流子浓度的衰减(少子的寿命)取决于复合过程。 载流子的复合机理？ 直接复合：导带中的电子释放近似等于禁带宽度Eg的能量跃迁入价带中的空状态而成为价带中的电子(能量变化而非空间位置变化)。 间接复合：电子在深能级与导带或价带间的跃迁。 直 接 复 合 直接复合包含三个可能过程： 1、辐射复合 2、无辐射复合 3、俄歇式复合 辐 射 复 合 受激态 末态 光子 电子能量以发射光子的形式释放，光子能量h??Eg。 无 辐 射 复 合 受激态 末态 声子 电子的能量转移给晶格振动，即转变为声子。 声子：晶格振动的能量是量子化的，与光子相仿，这种能量量子称为声子。 俄 歇 式 复 合 空穴 电子将大于Eg的能量转移给另一个电子，自身与价带空穴复合，而后者由于获得能量而受激至高能态甚至逸出到半导体外。 真空能级 E3 E2 E1 E4 EC 间 接 复 合 涉及深能级的复合是间接复合。促进载流子复合的深能级称为复合中心。 电子俘获、空穴俘获 电子发射、空穴发射 A B C D 涉及复合中心的间接复合过程与下列四个具体过程有关 导带电子落入复合中心，即复合中心俘获电子； (B)复合中心向导带发射电子； (C) 复合中心向价带发射电子，即复合中心俘获空穴； (D)复合中心俘获价带电子，即复合中心向价带发射空穴。 A B C D Er EC EV 如复合中心的浓度为Nr，其上电子浓度为nr，则复合中心俘获电子(过程A)的俘获率---单位体积的半导体单位时间内俘获的导带电子数为： cc称为复合中心对电子的俘获系数，n为非平衡态的导带电子浓度。 复合中心对导带发射电子(过程B)的发射率(单位时间内向导带发射电子浓度)可表示为： ec称为电子的发射系数，Nc则为导带底有效状态密度。 n为非平衡态的导带电子浓度。 复合中心向价带发射电子(过程C)的发射率可表示为： p为非平衡态的价带空穴浓度，(只有价带有空穴才可能向价带发射电子)，ev为复合中心向价带的发射系数。 复合中心俘获价带电子(过程D)的俘获率表示为： NV为价带有效状态密度。 在稳定情形下，A、B、C、D四个过程必须保持复合中心上电子数不变。其中A和D过程造成复合中心上电子的积累，B和C过程造成复合中心上电子的减少，根据平衡原理，有： A B C D Er EC EV 考虑稳定情形下： (1)由平衡态时的微观可逆性原理，A和B过程必须相抵； (2)考虑掺杂浓度不是很高时，通常Ncn0，因此上式可简化为： 代入平衡时导带和杂质能级电子浓度： 可得： 令: n1的物理意义? n1的物理意义：当EF与复合中心能级重合时导带中的电子浓度。 同样，根据C和D过程的微观可逆性原理，在NVp0，的情形下可得： p1的物理意义? p1的物理意义：当EF 与复合中心能级重合时价带中的空穴浓度。 将上面推导结果代入上式，可得：