20142晶体二极管及应用.ppt

选择填空： 1.稳压二极管通常工作在（ ）状态下，能够稳定电压。 A正向导通 B反向截止 C反向击穿 答：C 2. PN加反向偏置时，空间电荷区（ ）。 A.变宽 B.变窄，C.不变。 D.不确定 答：A 第二章结束 * 一、晶体二极管的结构类型 二、晶体二极管的伏安特性 三、晶体二极管的等效电阻 四、光电二极管 五、发光二极管 六、稳压二极管 七、变容二极管 八、二极管的典型应用 2.3 晶体二极管 一、晶体二极管的结构类型 在PN结上加上引线和封装，就成为一个二极管。 二极管按结构分 点接触型 面接触型 平面型 PN结面积小，结电容小， 用于检波和变频等高频电路 PN结面积大，用 于工频大电流整流电路 往往用于集成电路制造工艺中。 PN 结面积可大可小， 用于高频整流和开关电路中。 伏安特性：是指二极管两端电压和流过二极管电流之间的关系。 由PN结电流方程求出理想的伏安特性曲线， I U 1.当加正向电压时 PN结电流方程为： 2.当加反向电压时 I 随U↑，呈指数规率↑ I ≈ - Is I基本不变 二、晶体二极管的伏安特性 ? 晶体二极管的伏安特性 正向起始部分存在一个死区或门坎，称为门限电压。 硅：Ur=0.5～0.6V; 锗：Ur=0.1～0.2V。 加反向电压时，反向电流很小 即Is硅(nA)Is锗(?A) 硅管比锗管稳定。 当反压增大VBR时再增加，反向激增，发生反向击穿，VBR称为反向击穿电压。 实测伏安特性 ① ② ③ 二、晶体二极管的伏安特性（续） 材料 门限电压 导通电压 Is/ μA 硅 0.5～0.6V 0.7V 0.1 锗 0.1～0.2V 0.3V 几十 非线性电阻 用直流电阻 (也称静态电阻）和交流电阻（又称动态电阻或微变电阻）来描述二极管的电阻特性。 1.直流电阻RD的计算方法 定义 二极管两端的直流电压UD与电流ID之比 ID I U UD D 三、晶体二极管的等效电阻 UQ IQ 三、晶体二极管的等效电阻(续） 直流电阻的求解方法： 借助于静态工作点Q（IQ，UQ）来求。 ID ED D RL UD 方法一：解析法 列写二极管电流方程和电路方程： 解方程组，得到二极管静态工作电流IQ和电压UQ， 三、晶体二极管的等效电阻(续） 方法二：图解法 ID ED D RL UD I U U=ED-IRL 绘制直流负载线 U=0 I=ED/RL I=0 U=ED ED/RL ED Q IQ UQ 由静态工作点Q点得IQ和UQ，从而求出直流电阻 直流负载线与伏安 特性曲线的交点 由电路可列出方程： 2.交流电阻rD的计算方法 RL ED D U I Q U ?U ? I 室温（T=300K）下,UT=26mV。 交流电阻：r=26mV/ IQ (mA) 定义： 注意:交流电阻rD与其静态工作点Q有关。 说明：二极管正偏时， rD很小（几至几十欧姆） 二极管反偏时，rD很大（几十千至几兆欧姆）。 四、光电二极管 1定义： 有光照射时有电流产生的二极管。 2 类型： PIN型、 PN型、 雪崩型 3结构： 和普通的二极管基本相同 4工作原理： 利用光电导效应工作，PN结工作在反偏态，当光照射在PN结上时，束缚电子获得光能变成自由电子，形成光生电子—空穴对，在外电场的作用下形成光生电流。 D ED D RL IP 注意：光电二极管在反压状态工作。 1.定义： 将电能转换成光能的特殊半导体器件。 3.常用驱动电路： 直流驱动电路 交流驱动电路 普通发光二极管 红外发光二极管 …… 2.类型 五、发光二极管 4.工作原理：当管子加正向电压时，在正向电流激发下，管子发光，属电致发光。 注意：发光二极管在加正向电压时才发光。 六、稳压二极管 ? 稳压二极管： 是应用在反向击穿区的特殊二极管。 稳压特性： 在反向击穿时，电流急剧增加而PN结两端的电压基本保持不变。 正向部分与普通二极管相同。 注意：稳压管工作区在反向击穿区。 RZ VZ 特性参数： 1. 稳定电压VZ: 反向击穿电压。 2. 最大工作电流Izmax: 受耗散功率的限制，使用时必须加限流电阻。 VZ ? 稳压二极管 特性参数： 1. 稳定电压VZ: 2. 最大工作电流Izmax: 3. 动态电阻 ，RZ很小，十几欧姆~几十欧姆。 稳压管使用方法：稳压二极管在工作时应反接,并串入一只电阻。 电阻R的作用：一是起限流作用，以保护稳压管。二是当输入电压或负载电流变化时，通