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C/F Process Possible Defects On C/F ITO透明导电层的作用 Clean 工程 Process Monitor 製程流程 製程流程 CF Cleaning(彩色濾光片洗淨) 在Color Filter購入後可能會受到周圍環境有機物質污染,需對此附著在CF上之有機物排除,此製程以UV/O3對有機物進行分解達到清潔之目的。 1st Scribe break(一次切割裂片) 將大尺寸的Array TFT基板切割成我們所要的尺寸基板。 切割成2-up的目的是因為Cell的生產線屬連續式生產線的型式(line),同樣數量的1-up與2-up投入生產線中雖然所花費的時間幾乎一樣,但2-up的產能就是比1-up多出一倍 。 1st Grinding(一次磨邊) 按照所定尺寸切割好的玻璃,進行基板端面的研磨裝置,如圖,其主要目的有: (1). 將切割裂片後的玻璃截面平坦化,避免截面缺陷應力集中。 (2). 避免尖銳的截面傷害後製程設備。 After-grinding cleaning(磨邊後洗淨) 將前段磨邊後之玻璃基板洗淨,主要去除殘留在表面上之玻璃粉屑、小顆粒等。 CJ部 CJ ( Cavitation Jet ) 由上下各2列強力水柱沖灌,產生液面下氣泡沖洗玻璃機板。 Pre-PI Cleaning(印上PI膜前洗淨) 在PI膜印刷前將玻璃基板洗淨,並做適當的表面改質,使膜能均勻地塗布在玻璃基板上 。 基板受取/洗劑Brush部 Brush對向回轉的目的 上下Brush有自我清潔的功用 使欲清洗的玻璃基板不致於刮傷 減少Detergent的帶出量及流入下個單元 能有效清潔Array基板凹凸的表面 MS Shower部 MS( Mega Sonic ) 由2台,頻率1.6MHz,以Maga波直立振盪,經狹縫出口形成水簾,衝擊在基板上如同海浪般沖洗,可處理約1um左右之Particle。 PI Printing(印上PI膜) 在玻璃基板(TFT基板、CF基板 )上均勻塗佈印上一層薄膜,並且升溫把其溶劑揮發達到薄膜平整效果,其塗佈區域依照設計而定;薄膜厚度依據所選定的PI材料而有不同。 製程原理 PI Inspection(PI膜檢驗) 將已經塗佈PI膜且經過預烤的玻璃基板(TFT基板與CF基板)進行表面檢查,利用CCD及影像處理系統對玻璃基板做影像分析,區分其上過PI膜部份的顏色差異,藉由此檢查裝置早期發現不良、分析歸納不良,以其找出PI Print的最佳製程條件。 PI Post Bake(印上PI膜後烘乾) 將已經上完PI膜且檢查OK的玻璃基板進行高溫製程,使得基板上的PI膜進行硬化反應,以便於進行配向製程的進行。 Rubbing(配向或稱定向) 於PI膜上製作出供液晶定向用之溝槽,使液晶整齊排列於上 ,下配向膜間 。 利用配向布摩擦玻璃基板上方的PI膜,形成供液晶定向排列所需的構槽及預傾角 雖然在配向作業時的磨擦不會破壞TFT基板,但磨擦所引起的靜電卻可能會破壞TFT(薄膜電晶體),因此TFT基板四周的Gate電極與Source電極是以短路相接的(shorted),以避免靜電所造成的破壞。 為了讓液晶的排列順著上下介面的方向做90°的轉動,我們必須固定最上層的液晶及最下層的液晶,而為了讓液晶旋轉的方向固定一致(同為順時針方向或逆時針方向),我們替液晶做了預傾角,這些製程稱為定向或配向(rubbing) 配向模(PI)上若無預傾角時,液晶分子旋轉的方向會不一致 在施加電場的狀況下,為了使液晶站起的方向一致,故在配向時在PI模上磨出(rub)預傾角。 配向方式:下列圖形的組立方式是由CF基板上升、原地翻轉然後與下方的TFT基板進行組合,如圖(「→」為配向方向,「+」為組立對位符號)。 After-rubbing Cleaning(配向後洗淨) 去除經過Rubbing後的毛屑、PI膜殘渣等有機污染物及其他Particle。 Spin Dry(1) 有搬入Spin Table之機械懸臂,其接觸玻璃基板下方邊緣端8mm以內,Chuck材質為Teflon,方式如下圖: Spin Dry(2) Spacer Spraying(灑間隙球) 將spacer均勻散佈在玻璃基板中,作為兩塊玻璃間隙的支撐,形成均勻的cell gap,以避免panel在製造過程中,因壓合、升溫造成玻璃形變或cell gap的不均勻化;另一方面,若發現不良品(聚集或密度太多、太少),則需利用cleaner將spacer清除乾淨後,乾式灑間隙球再重新rework,而本廠採乾式灑間隙球之方式 。 乾式灑間隙球: 利用氮氣與spacer混合後,以高壓氣體為動力,將spacer均勻噴
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