袁方全套配套课件大学计算机3-1 SLC、MLC与TLC闪存技术.docVIP

PAGE PAGE 2 拓展阅读：SLC、MLC、TLC闪存技术 目前市场上的固态硬盘、U盘、存储卡产品一般采用闪存（Flash Memory）作为存储介质。闪存是一种非易失性存储器，即断电数据也不会丢失。但主流的闪存（NAND闪存）进行数据读写或删除操作时，不能像RAM一样以字节为单位，而只能以固定的区块为单位，因此不能取代内存，只能作为一种外存技术。 NAND闪存NAND 闪存主控芯片 NAND 闪存 主控芯片 缓存 SLC：Single-Level Cell，即单阶单元，每个存储单元可以存储1bit数据。 MLC：Multi-Level Cell，即多阶单元，每个存储单元可以存储2bit数据。 TLC：Trinary-Level Cell，即三阶单元，每个存储单元可以存储3bit数据。 估计MLC命名时根本无法预期还能在单个存储单元中存储更多的数据，因此没命名为双阶单元，直接称为了多阶单元。但技术的进步是没有终点的，目前TLC也不是极限，实验室中已经研制出QLC存储单元，即四阶单元，每个存储单元可以存储4bit数据。 根据前面学过的二进制编码的知识，请同学们推算一下，SLC、MLC、TLC能存储的数据各有多少种？答案见下页。 SLC 0 1 MLC 00 01 10 11 TLC 000 001 010 011 100 101 110 111 可以看出，SLC为了能够存储1bit数据，需要区分出“0”和“1”两种存储状态；而MLC需要区分出4种存储状态；TLC则需要区分出8种存储状态。 SLC由于只需要区分出“0”和“1”两种存储状态，因此结构简单，状态稳定，读写速度快，但受芯片制造工艺的影响，无法在一定体积内容纳太多的存储单元，也就无法生产出足够大容量的SLC芯片，目前大容量的SLC芯片仅能达到2GB的总存储容量。而MLC和TLC提升了存储密度，可以将单芯片的存储容量扩大到32GB甚至更高，但由于MLC和TLC存储单元需要区分的存储状态达到4种或8种，因此工艺复杂，读写速度慢，状态不稳定，从而造成寿命短。 简单来说，SLC的性能最好，但价格最高。一般用在企业级的存储设备上。MLC的性能够用，价格适中，是固态硬盘开始普及到家用市场时的主流产品。TLC性能最低，但价格最便宜。目前通过高性能主控、缓存技术以及主控算法弥补，提高TLC的存储速度和寿命等性能，使TLC产品在性能方面已经接近MLC产品，市场占比越来越高。