第八章功率器件06.pptVIP

饱和区 恒电流区 随着VD增大到一定值以后，水平沟道出现夹断，漏极电流达到最大值Idmax，并基本保持不变。 器件的跨导 gm，源漏电流随栅电压的变化率。 增大跨导可以在低栅电压下获得高的电流驱动能力。 开态电阻 Ron 功率MOSFET的重要参数，描述了器件的电流驱动能力。 Ron＝Rn＋＋RCH＋RA＋RJ＋RD＋RS 源n＋区 P基区之间的扩散区 漂移区电阻 衬底电阻 沟道电阻 积累层电阻 截止区 当VGVT时，栅压不足以在半导体的表面形成反型沟道。 ID＝0 UMOSFET 具有较高的沟道密度（有源区沟道宽度/cm2),使得器件开态电阻减少。 极限参数 最大源漏电流 IDmax 决定IDmax的主要因素是器件的宽度。通常通过特殊的结构单元设计，以增加单位管芯面积的沟道宽度。 最大输出功率PDmax 同时还受热损耗的限制。 Pdmax=(1/2) Idmax(Vdmax-Vdmin) 由最大允许漏极电流、最大允许源漏电压和电流为最大允许漏极电流时的最小源漏电压所决定 击穿电压 防止寄生n＋pn引起的穿通击穿 合理设计基区宽度 合理设计扩散杂质分布 可能发生－源漏击穿或栅击穿 安全工作区 MOSFET的I－V平面内的一个区域，在该范围内运行器件是安全的。在不同的偏置条件下的影响因素不同。 在低漏压时，最大漏极电流是主要的因素。 在中等漏压下，最大允许耗散功耗是主要的因素。 在大漏压下，击穿电压是主要的限制因素。 绝缘栅双极晶体管 IGBT IGBT Insulated Gate Bipolar Transistor 电压驱动型，以MOSFET作为基本技术，可以开关高电压大电流的器件，兼有MOS器件高输入阻抗和双极器件低损耗的特点。具有控制功率小，开关速度快、电流处理能力大、饱和电压低等特点。 IGBT的基本结构 N沟 IGBT 与功率MOSFET的差别： MOS 是nn＋衬底 IGBT是p＋n衬底 IGBT是用一个MOSFET驱动PNP双极晶体管 IGBT的等效电路和符号 IGBT的工作原理 MOSFET 双极晶体管 寄生晶闸管 双极晶体管 反向阻断模式： VCE0 (集电极加相当于发射极为负的偏压） J1结反偏，该结构中只能流过很小的pn结反向电流。耗尽层将扩展到轻掺杂的n偏移区，可以承受大的偏压。 J1 J2 J3 N型偏移区的设计 电阻和厚度 厚度增大 耐压能力提高 正向压降增加 最大工作电压下耗尽层厚度和少子扩散长度之和 正向工作VCE0 (集电极加相当于发射极为正的偏压） J1 J2 J3 正向阻断 VEG＝0 （栅与发射极短接） VCE0 栅下没有形成表面反型层。J2结反偏，该结构中只能流过小的pn结反向电流。 正向阻断能力通常低于反向阻断能力： 由于J2结的空间电荷区容易与J1结的相连，形成穿通。 直流工作时，IGBT不需承受反向偏压，可根据正向特性设计器件。 J1 J2 J3 正向导通 VEGVt（栅压大于阈值电压） VCE0 栅下形成表面反型层。J2结反偏，但反型层构成了联接n＋发射区与n型漂移区的导电沟道。该结构导通，可以在高的电流密度下工作。 p－i－n整流管与MOSFET的串联 通常IGBT的电流密度为功率MOSFET的20倍 IGBT的特性 寄生晶闸管的闩锁效应 MOSFET 双极晶体管 寄生晶闸管 最大工作电流受结构中寄生晶闸管的限制 J1 J2 J3 电子电流 n＋ MOS沟道 偏移区 正偏J1结 收集极 发射极 空穴电流 P区 正偏J1结 收集极 发射极 J2结收集 空穴电流 J3结正偏 大于pn结的正向导通电压，npn和pnp晶体管的电流增益之和1 开态电流增大 闩锁 集电极电流直接流到发射极 IGBT电流不受栅压控制，不经过MOSFET沟道 IGBT的安全工作区 SOA SOA safe operating area 如果功率损耗维持在器件决定的热限制内，则器件可以正常工作而不发生破坏性失效。 低电流密度，高电压 器件能够承受的最大电压受边缘击穿电压。 低集电极电压，高电流密度 器件能够承受的最大流受寄生晶闸管效应的限制。 高栅压 器件的闩锁效应。 电流、电压同时增大 主要是功率损耗，由芯片的封装、散热等因素决定。 SiC功率器件 从功率应用角度，衡量半导体材料的Baliga指标 （1）热传导?漂移区电导 （2）指标（1） ?击穿电场 （3）漂移区电导 单极器件的BFOM＝ GaAs的BFOM是Si的12.7倍 SiC的BFOM是Si的200倍 90 2400 297 SiC 3200 1000000 53000 N型金刚石 7.80 2.59 2.42 GaAs 1 1 1 Si 指标（3） 指标（2） 指标（1） 材料 SiC功率器件 SiC的材料性质及