半导体器件稳压二.pptVIP

二极管分类 硅二极管和锗二极管 1、导通电压 2、导通后 3、反向漏电流 4、击穿电压 5、热稳定性 硅管对小信号检波灵敏度低、线性差。 适用与整流和逻辑。 D 阳极 阴极 二极管分类 点接触二极管 小功率整流、高频检波等 面接触二极管 低频大功率整流 稳压二极管 大连理工大学 物理与光电工程学院 张贺秋 二极管分类 硅二极管和锗二极管 1、导通电压 2、导通后 3、反向漏电流 4、击穿电压 5、热稳定性 D 阳极 阴极 二极管分类 点接触二极管 小功率整流、高频检波等 面接触二极管 低频大功率整流 稳压二极管——齐纳二极管zener diode——DZ DZ 阳极 阴极 工作原理 利用二极管反向击穿特性实现稳压。 二极管反向击穿机制 1、热不稳定性； 反向大电压 产生焦耳热 反向电流 器件温度升高 不可恢复的，器件完全损坏。 二极管反向击穿机制 2、齐纳击穿（隧穿击穿） P N EC EV 热平衡 EF P N EC EV EF _ + － ?V?4Eg/q 二极管反向击穿机制 3、雪崩击穿 ?V?6Eg/q 主要参数： + - U/V I/mA 稳定电压 UZ 稳定电流IZ 在规定的稳压管反向工作电流IZ下，所对应的反向工作电压。 最大稳定电流IZmax 最小稳定电流IZmin 最大耗散功率： PZmax = UZIZmax PZ = UZIZ PZ PZmax 动