薄膜成膜技术1.pptVIP

第四章 薄膜成膜技术 本章重点介绍了常用的薄膜材料性能；干式薄膜成膜方法；电路图形形成技术等。 常用薄膜材料 一、薄膜导体材料 导体薄膜的主要用途是形成电路图形，为半导体元件、半导体芯片、电阻、电容等电路部件提供电极及相互引线，以及金属化等。应具有以下特性： a.电导率要高； b.对电路元件不产生有害影响，为欧姆连接； c.热导率高、机械强度高； d.置于高温状态，电气特性也不发生变化； e.附着力大，成膜及形成图形容易； f.可进行选择性刻蚀； g.可进行Au丝、Al丝引线键合及焊接等加工。 1) Ag Ag具有最高的电导率； 与氧化铝陶瓷及玻璃的附着性好于Au 易形成硫化物污染膜，易形成氧化银 大电流下，易发生电迁移，抗焊锡浸蚀性差 2)Au 导电好，不易氧化，抗蚀性好，电迁移效应弱 对于任何基片没有直接的附着能力，只能用一些中间层来改善，如用铬，镍铬，钛，钨等打底。 3) Cu 导电性仅次于Ag,熔点高，与氧化铝基片附着好，当各种自然条件变化时，仍保持附着性 几乎能被用于所有合金材料中，生产成本低； 抗电迁移性能最好 4) Al 迄今为止，Al在薄膜导体中应用最普遍 对基片，介质，半导体表面附着良好 熔化温度低(659.7摄氏度)，能用相对较低的工艺温度沉积 键合性良好 电迁移效应严重 实际上，采用单一导体很难满足所有要求，构成电子电路往 往需要多种导体膜的组合。 5) Cr-Au Cr-Au与玻璃间具有良好的附着性，无论对P型还是N型Si均能形成欧姆接触，因此也常用作Si IC工艺中Al导线的替代； 其成膜方法有两种，一是将基板加热到250摄氏度，依次真空蒸镀Cr和Au,二是采用溅射法沉积。 Cr-Au可能引起的可靠性问题是Cr向Au中扩散，由此会引起电阻增加。 6) NiCr-Au 薄膜导体中应用最广泛的是NiCr-Au,其构成是先蒸镀0.1微米的NiCr合金膜，再蒸镀0.1微米的Au 这种膜层在200~400摄氏度的干燥氮气中放置24小时，阻值会有明显增加 7) Ti-Au 以Ti为底层的Ti-Au，对于所有种类的基板都显示出相当高的附着力。 在250~350摄氏度的温度下就形成化合物，使Ti膜特性变差，造成阻值增加，因此，常在Au与Ti之间加入Pt阻挡层。 薄膜成膜方法 相对于厚膜，薄膜成膜方法很多，分类方法也不一样。一种是按干式和湿式分类。在干式中，有以真空蒸镀、溅射蒸镀、离子镀为代表的物理气相沉积(PVD)和化学气相沉积(CVD)等；湿式中有电镀、化学镀、阳极氧化等。 1) 真空蒸发(镀)及溅射法 真空蒸发是将镀料在真空中加热、蒸发，使蒸气原子团在温度较低的基板上析出形成薄膜。这种方法主要用于Au,Cu,Ni,Cr等导体材料及电阻材料的成膜。 溅射镀是将放电气体导入真空，在辉光放电下产生正离子加速轰击处于阴极的靶材，使溅射出的原子沉积于基板上。这种方法一般多用于氧化物、氮化物等绝缘材料及合金材料的成膜。 2) CVD法 CVD法泛指气态原料通过化学反应生成固体薄膜的沉积过程。该化学反应可以是气态化合物由基板表面向其内部的扩散，气态化合物和基板表面的反应，气态化合物的分解，或者气态化合物之间的反应等。 CVD法成膜材料范围广泛，除碱金属，碱土金属之外，几乎所有的材料均可以成膜，特别适用于绝缘膜、超硬膜等特殊功能的膜的沉积。 3) 电镀和化学镀 电镀和化学镀是依靠电场反应，使金属从金属盐溶液中析出成膜的方法。对于电镀来说，促进析出的还原能量由外部电源提供；对于化学镀来说，需要添加还原剂。电镀或化学镀的特点是，可对大尺寸基板批量成膜，与其他成膜方法相比，设备投资低，但需要考虑环境保护问题。 本课程重点讲述干式成膜法中的真空蒸发和离子溅射。 b.饱和蒸汽压与温度的关系 在真空中加热被蒸发的物质，使物质由固相转变为液相，这一过程称为熔解。在熔解过程中温度保持不变，但要吸收热量。 被蒸发物质转变为液相后，若继续升高温度，则开始蒸发，蒸发是发生在液相表面的汽化过程。温度越高，真空室气压越低，蒸发越快。 若材料在密闭容器中蒸发，蒸汽压强越来越大，蒸发速率则越来越小，最后达到饱和，单位时间内液相变为气相的材料数量与从气相返回液相的材料数量相等，这时的蒸气压强为恒值，称为饱和蒸汽压。 3) 薄膜生长 a. 吸附现象 当入射原子接近基片在若干原子直径范围内时，可能出现几种类型的相互作用，即： 反射—此时，原子保持其大部分动能，在基片上只有短暂的停留时间(约1纳秒) 物理吸附—只涉及到范德瓦尔力，这种力出现于任何两个彼此接近的分子间。此时，没有势垒需要克服，气体分子可以吸附凝结在基片表面任何位置上。