一种高精度二阶温度补偿带隙基准电路设计.docx

硅 微 电 子 学＊一种高精度二阶温度补偿带隙基准电路设计陈文韬 邓婉玲 黄君 硅 微 电 子 学 ＊ 一种高精度二阶温度补偿带隙基准电路设计 陈文韬 邓婉玲 黄君凯＊＊ （暨南大学信息科学技术学院电子工程系 ，广 州 ，５１０６３２） ２０１４－０４－２８收 稿 ，２０１４－０６－１０收 改 稿 摘 要 ：基于通过负温度系数电压控制工作于亚阈值区 ＭＯＳ管栅压产生随温度变化的补偿电 流 原 理 ，采 用 中 芯 国 际 ０．１８μｍ ＣＭＯＳ工 艺 ，设 计 了一款高精度二阶温度补 偿带隙基准电压源 。 测 试 结 果 表 明 ，当电源电压大于 １．６Ｖ 时 ，电路能够产生稳定的 １．２１Ｖ 输 出 电 压 ；在 电 源 电 压 为 １．６～３．４ Ｖ，－２０～１３５℃ 温 度 范 围 内 ，最 小 温 度 系 数 为 ２×１０－６／℃ ，最大温度系数为 ３．２×１０－６／℃ ；当 电 源 电 压 在 １．６～３．４ Ｖ 之 间 变 化 时 ，输出电压偏差为 ０．６ ｍＶ，电 源 调 整 率 为 ０．３４ ｍＶ／Ｖ；在 １．８Ｖ 电 源 电 压 下 ，电 源 抑 制 比 为 ６９ｄＢ，因此能够适应于高精度基准源 。 关 键 词 ：高 精 度 ；二 阶 温 度 补 偿 ；亚 阈 值 区 ；带 隙 基 准 电 路 ；电 源 抑 制 比 中 图 分 类 号 ：ＴＮ４３２ 文 献 标 识 码 ：Ａ 文 章 编 号 ：１０００－３８１９（２０１４）０５－０４７０－０６ ＤｅｓｉｇｎｏｆａＨｉｇｈＰｒｅｃｉｓｉｏｎＢａｎｄｇａｐＲｅｆｅｒｅｎｃｅＣｉｒｃｕｉｔｗｉｔｈ ｔｈｅＳｅｃｏｎｄ－ｏｒｄｅｒＴｅｍｐｅｒａｔｕｒｅＣｏｍｐｅｎｓａｔｉｏｎ ＣＨＥＮ Ｗｅｎｔａｏ ＤＥＮＧ Ｗａｎｌｉｎｇ ＨＵＡＮＧＪｕｎｋａｉ （ＤｅｐａｒｔｍｅｎｔｏｆＥｌｅｃｔｒｏｎｉｃＥｎｇｉｎｅｅｒｉｎｇ，ＪｉｎａｎＵｎｉｖｅｒｓｉｔｙ，Ｇｕａｎｇｚｈｏｕ，５１０６３２，ＣＨＮ） Ａｂｓｔｒａｃｔ：Ａｈｉｇｈｐｒｅｃｉｓｉｏｎｂａｎｄｇａｐｖｏｌｔａｇｅｒｅｆｅｒｅｎｃｅ（ＢＧＲ）ｗｉｔｈｔｈｅｓｅｃｏｎｄ－ｏｒｄｅｒｔｅｍｐｅｒａ－ ｔｕｒｅｃｏｍｐｅｎｓａｔｉｏｎｉｓｐｒｅｓｅｎｔｅｄ．Ｂｙｅｍｐｌｏｙｉｎｇａｖｏｌｔａｇｅｗｉｔｈａｎｅｇａｔｉｖｅｔｅｍｐｅｒａｔｕｒｅｃｏｅｆｆｉｃｉｅｎｔｔｏ ｃｏｎｔｒｏｌｔｈｅ ＭＯＳＦＥＴ ｗｏｒｋｉｎｇｉｎｓｕｂ－ｔｈｒｅｓｈｏｌｄｒｅｇｉｏｎ，ａｃｏｎｖｅｘｃｕｒｖｅｉｓｉｎｔｒｏｄｕｃｅｄｔｏｃｏｍｐｅｎ－ ｓａｔｅｔｈｅｆｉｒｓｔ－ｏｒｄｅｒＢＧＲｂａｓｅｄｏｎｔｈｅＳＭＩＣ０．１８μｍ ＣＭＯＳｐｒｏｃｅｓｓ．Ｔｈｅｍｅａｓｕｒｅｍｅｎｔｒｅｓｕｌｔｓ ｓｈｏｗｔｈａｔｔｈｅｓｔａｂｌｅｏｕｔｐｕｔｖｏｌｔａｇｅｉｓ１．２１Ｖ ｗｈｅｎｔｈｅｐｏｗｅｒｓｕｐｐｌｙｉｓｌａｒｇｅｒｔｈａｎ１．６ Ｖ．Ｔｈｅ ｔｅｍｐｅｒａｔｕｒｅｃｏｅｆｆｉｃｉｅｎｔｉｓ２×１０－６／℃ ａｔ１．６Ｖａｎｄ３．２×１０－６／℃ ａｔ３．４Ｖ ｗｉｔｈｔｈｅｔｅｍｐｅｒａｔｕｒｅ ｃｈａｎｇｉｎｇｆｒｏｍ －２０℃ ｔｏ１３５℃．Ｗｈｅｎｔｈｅｐｏｗｅｒｓｕｐｐｌｙｃｈａｎｇｅｓｆｒｏｍ１．６Ｖｔｏ３．４Ｖ，ｔｈｅｏｕｔ－ ｐｕｔｖｏｌｔａｇｅｄｅｖｉａｔｉｏｎｉｓ０．６ｍＶ．Ａｐｏｗｅｒ－ｓｕｐｐｌｙｎｏｉｓｅａｔｔｅｎｕａｔｉｏｎｏｆ６９ｄＢｉｓａｃｈｉｅｖｅｄａｔ１．８Ｖ ｐｏｗｅｒｓｕｐｐｌｙ，ｍａｋｉｎｇｉｔｓｕｉｔａｂｌｅｆｏｒｈｉｇｈｐｒｅｃｉｓｉｏｎｒｅｆｅｒｅｎｃｅｖｏｌｔａｇｅ． Ｋｅｙ ｗｏｒｄｓ：ｈｉｇｈ ｐｒｅｃｉｓｉｏｎ；ｓｅｃｏｎｄ－ｏｒｄｅｒｔｅｍｐｅｒａｔｕｒｅｃｏｍｐｅｎｓａｔｉｏｎ；ｓｕｂ－ｔｈｒｅｓｈｏｌｄ ｒｅｇｉｏｎ； ｂａｎｄｇａｐｒｅｆｅｒｅｎｃｅｃｉｒｃｕｉｔ；ｐｏｗｅｒｓｕｐｐｌｙｒｅｊｅｃｔｉｏｎｒａｔｉｏ （ＰＳＲＲ） ＥＥＡＣＣ：２５７０Ｄ 以 及 数 模 混 合 电 路 中 ，带 隙基准电压源的精度与稳 定性 对整 个 系 统起着至关重要的 作 用［１］。传 统 的 带 隙 基 准 电 路［２］由 于通常采用一 阶 温度系数 补 偿 ，温 度 系 数 为（２０～１００）×１０－６／℃［３］，难 以 得 到 较 低 的 引 言 带 隙 基 准 电 路 广 泛 应 用 于 模 拟 电 路 、数 字 电 路 ＊ 基 金 项 目 ：广东省科技计划资助项目（２０１１Ｂ０４０３０００３５） ＊＊ 联 系 作 者 ：Ｅ－ｍａｉｌ：ｈｊｋ１９６３１０＠１２６．ｃｏｍ 檸殠 檸 ５期陈 文 韬 等 ：一种高精度二阶温度补偿带隙基准电路设计 ４７１温 度 系