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第二章 二极管及其基本电路 PN结 §2.1 半导体基本知识 根据物体导电能力(电阻率)的不同，划分为导体、绝缘体和半导体。 半导体的电阻率为10-3～109 ??cm。典型的半导体有硅Si和锗Ge以及砷化镓GaAs等。 本征半导体的导电特性 本征半导体是指纯净的、不含杂质的半导体。在近代电子学中，用得最多的半导体是硅和锗，它们都是四价元素，原子最外层有4个价电子。 硅 锗 室温下，由于热能作用，共价键 中的电子获得能量，一部分电子 克服共价键的束缚成为电子载流子。 同时，原共价键处留下一个空位，称为空穴。 掺杂半导体的导电特性 如在本征半导体中掺入微量的其他元素原子（杂质），得 到杂质半导体。 N型半导体 掺入微量的5价元素（磷原子） 磷提供一个1个多余电子 被称为施主杂质 固定正电荷（掺杂） 电子为多数载流子 （掺杂＋热激发） 空穴为少数载流子（热激发） P型半导体 掺入微量的3价元素（硼原子） 硼提供一个1个空穴 被称为受主杂质 固定负电荷（掺杂） 空穴为多数载流子 （掺杂+热激发） 电子为少数载流子 （热激发） §2.2 PN结的形成及特点 PN结的形成 三个概念 扩散运动：由于浓度差而产生的载流子的运动。 漂移运动：由于电势差而引起的电场力作用下的载流子的 运动。 空间电荷区(耗尽层)： 可自由移动的载流子相互复合后导致一定范围内只存在不可移动的固定电荷，这个区域即空间电荷区，又被称为耗尽层。 PN结的形成过程 本征半导体衬底 一侧掺入施主 杂质（N型） 一侧掺入受主 杂质（P型） 交界面形成PN结 PN结的特性 平衡时的PN结 电子和空穴两种载流子 N指向P的内建电场 多子扩散形成正向电流 少子漂移形成反向电流 扩散和漂移电流处于动态平衡 通过其总电流为0 PN结为平衡结 非平衡时的PN结：单向导电性 外加正向电压： PN结P端接电源正极， N端接电源负极。 削弱内电场 耗尽层变窄 多子扩散运动加剧 正向电流为主 PN结外加正向电压时处于导通状态 外加反向电压： PN结N端接电源正极， P端接电源负极。 加强内电场 耗尽层变宽 多子扩散运动减弱 反向电流为主 少子为本征激发， 一定范围内不随 外加反向电压变化， 称为反向饱和电流ISAT PN结外加反向电压时处于截止状态 PN结的电流方程 其中i 为流过PN结的电流，v为PN结两端外加电压，ISAT为反向饱和电流，q为电子电量kB为Boltzmann常数，T为热力学温度，VT为热电势。T=300K时，VT≈26mV。 外加正向电压且vVT时， 外加反向电压且|v|VT时， PN结的伏安特性 PN结的三种工作状态 正向导通 　PN结P端接正电压，N端接负电压，PN结导通，通过其的正向电流随外加电压以指数形式增大； 反向截止 　 PN结N端接正电压，P端接负电压，PN结截止，在一定的反向偏压范围内通过PN结的反向电流保持不变； 反向击穿 　反向偏压过大，PN结被击穿，反向电流迅速放大。 §2.3 半导体二极管 一、二极管的结构及符号 半导体二极管是由一个PN结及它所在的半导体再加上电极引线和管壳构成。 二、二极管的V-I（伏安）特性 正向特性 反向特性 特别注意： 小信号模型中的微变电阻rd与静态工作点Q有关。 该模型用于二极管处于正向偏置条件下，且vDVT 。 （a）V-I 特性 （b）电路模型 2、模型分析法应用举例 （1）整流电路 （a）电路图 （b）vs和vo的波形 （2）静态工作情况分析 理想模型 （R=10k?） 当VDD=10V 时， 恒压模型 （硅二极管典型值） 折线模型 （硅二极管典型值） 设 当VDD=1V 时， 。。。 （a）简单二极管电路 （b）习惯画法 （3）限幅电路 电路如图，R = 1kΩ，VREF = 3V，二极管为硅二极管。分别用理想模型和恒压降模型求解，当vI = 6sin?t V时，绘出相应的输出电压vO的波形。 （4）开关电路 电路如图所示，求AO的电压值 解： 先断开D，以O为基准电位， 即O点为0V。 则接D阳极的电位为-6V，接阴极的电位为-12V。 阳极电位高于阴极电位，D接入时正向导通。 导通后，D的压降等于零，即A点的电位就是D阳极的电位。 所以，AO的电压值为-6V。 （6）小信号工作情况分析 图示电路中，VDD = 5V，R = 5k?，恒压降模型