行业标准《高纯铟化学分析方法》编制说明.docVIP

高纯铟化学分析方法 （YS/TXXXX.x-2012） 编制说明 北京有色金属研究总院 2012年3月x日 《高纯铟化学分析方法》编制说明 任务来源及计划要求 随着半导体工业的发展，对金属铟纯度方面的要求越来越高，一般要求纯度达到99.999％以上。目前我国生产的精铟还是99.99％，国内关于高纯铟的产品标准是：GB6607-1986(其中规定了4N和3N高纯In中Cu、Pb、Zn、Cd、Fe、Tl、Sn、As、Al等9个杂质的含量范围)和YS/T257-1998（其中规定了4N3,3N7，3N高纯In中Cu、Pb、Zn、Cd、Fe、Tl、Sn、As、Al等9个杂质的含量范围）；分析方法标准有GB8221.1～8221.6－1987（水相钼蓝分光光度法测定砷量；苯芴酮－溴代十六烷基三甲胺分光光度法测定锡量；甲基绿分光光度法测定铊量；铬天青S分光光度法测定铜、铁、锌、镉量；原子吸收分光光度法测定铅量。共8种元素），可见，无论是产品还是分析方法标准均不能满足目前市场5N～6N高纯铟的需求，因此对上述标准进行修订日渐迫切。于2010年9月在青海西宁召开的全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分技术委员会上，由半材标委字〔2007〕9号文件提出由北京有色金属研究院负责对高纯铟分析方法进行修订。 编制过程 经文献调研及对现行测试能力进行分析后，决定建立辉光质谱法（GDMS）测定高纯铟中痕量杂质和电感耦合等离子体质谱法测定高纯铟中痕量杂质，为丰富标准的方法种类决定保留原国标GB8221.1～8221.6－1987中水相钼蓝分光光度法测定砷量；苯芴酮－溴代十六烷基三甲胺分光光度法测定锡量；甲基绿分光光度法测定铊量三个标准，只对其版本进行修改。由东方电气集团峨嵋半导体材料有限公司和金川两家单位进行复验。于2012年4月召开预审会。 三、主要技术内容的说明 本标准包括五个部分： YS/TXXXX.1《采用高质量分辨率辉光放电质谱仪测定 高纯铟中痕量元素的含量》 YS/TXXXX.2《高纯铟化学分析方法 高纯铟中痕量元素的测定 电感耦合等离子体质谱法》 YS/TXXXX.3《高纯铟化学分析方法 硅量的测定 硅钼蓝分光光度法》 YS/TXXXX.4《高纯铟化学分析方法 锡量的测定苯芴酮－溴代十六烷基三甲胺分光光度法》 YS/TXXXX.5《高纯铟化学分析方法 铊量的测定甲基绿分光光度法》 其中YS/TXXXX.3~5是对原标准的修订 验证情况 本标准由峨嵋半导体厂和金川集团有限公司进行复验， 实施标准的要求和措施的建议 本方法遵守下列基础标准： GB/T1.1-2000 标准化工作导则 第1部分：标准的结构和编写规则 GB/T20001.4-2001 标准编写规则 第4部分：化学分析方法 GB/T17433-1998 冶金产品化学分析基础术语 GB/T11792-1989 测试方法的精密度 在重现性或再现性条件下所得测试结果可接受 检查和最终测试结果的测定。 GB/T3101－1993 有关量、单位和符号的一般原则 GB/T3102.8－1993 物理化学和分子物理学的量和单位 GB/T1467－1978 冶金产品化学分析方法标准的总则及一般规定 GB/T8170－1987 数字修约规则 起草人员 起草单位：北京有色金属研究总院 主要起草人： 复核单位：四川峨嵋半导体厂 主要复核人： 复验单位：金川集团有限公司 主要复验人：