国家标准《太阳能电池用锗衬底片》编制说明.docVIP

PAGE 4 PAGE 1 《太阳能电池用锗衬底片》国家标准编制说明 一．任务来源及计划要求 太阳能电池锗衬底片是以锗衬底片为基板的多结太阳能电池的主要组成部分。以锗衬底片为基板的高效太阳能电池主要用于卫星等空间供电电源中，即空间光伏发电，同时也可用于地面光伏发电领域。为顺应市场的需求，调整经济结构，使产品有标准对照，我公司于2010年12月向中国有色金属标准化计量质量研究所递交了《太阳能电池用锗衬底片》国家标准项目建议书，同时起草了《太阳能电池用锗衬底片》标准草案。2011年10月，经国家标准化管理委员会和中国有色金属标准化计量质量研究所批准，下发了“半材标委〔2011〕16号”文件，委托南京中锗科技股份有限公司负责起草《太阳能电池用锗衬底片》国家标准，标准项目编号为T-46。 二．编制过程 根据“半材标委〔2011〕16号”文件精神要求，我们通过查阅大量的文献，依据GB/T26072《太阳能电池用锗单晶》，调研和调查下游客户的质量要求，按照全国有色金属标准委员会有色标准的编制原则、框架要求和国家的法律法规，编制完成了《太阳能电池用锗衬底片》国家标准讨论稿。2012年6月，在上海召开的半导体材料标准预审和讨论会上，与会专家对标准讨论稿逐字逐句地进行了认真的讨论，提出了以下修改意见： 将标准条款范围中第二条“垂直梯度冷却法和直拉掺杂”修改为“垂直梯度凝固法（VGF）和直拉法（CZ）”； 引用文件增加GB 50073； 删除3.2条中“或由供需双方商定规格”； 删除表1中的晶向栏目中“<111>”； 将3.3.2“晶体完整性” 改为“位错密度”，“位错密度应不大于300个/cm2、500个/cm2”改为“位错密度分为两个级别：A级：＜500个/cm2、B级：500～3000个/cm2”； 将3.3.3表2中的“厚度允许偏差值±20”均修改为“±15”； 将3.3.4～3.3.7条款参照硅抛光片标准重新拟定； 将4.7条款中“按GB/T 6618 进行”修改为“参照GB/T 6618 进行”； 将5.3检验项目进行调整，分为全检、抽检项目，内容重新拟定； 将5.5.2中“复验”修改为“重复试验”； 将6.1.1中“在ISO 14644-1级别ISO 5级洁净室”修改为“GB 50073中第三部分洁净度等级分类5级洁净室”； 文字、格式按规定进行统一修改。 讨论会后，我们采纳了专家们的意见，对标准进行如下修改。 根据标准中的要求、试验方法，增加了引用文件“GB/T2828.1《计数抽样检验程序 第1部分：按接收质量限（AQL）检索的逐批检验抽样计划》”、 “GB/T6619《硅片弯曲度测试方法》” 、“GB/T6620《硅片翘曲度非接触式测试方法》” 、“ GB/T6621《硅抛光片表面平整度测试方法》”、“ GB/T6624《硅抛光片表面质量目测检验方法》”、“ GB/T13387《电子材料晶片参考面长度测量方法》”、 “ GB/T26072《太阳能电池用锗单晶》”、“GB 50073《洁净厂房设计规范》” 、“YS/T26《硅片边缘轮廓检验方法》”。 根据客户的实际需求，将3.2规格中的“?76.2mm”改为“?50.8mm”。 由于锗衬底片的导电类型、掺杂剂、电阻率范围、晶向和载流子浓度及晶体完整性等参数是由太阳能电池用锗单晶提供的，故将“3.3.1物理参数见表1、晶向偏离度和3.3.2晶体完整性”的要求改为“3.3物理性能参数及晶体完整性‘锗衬底片导电类型、掺杂剂、电阻率范围、晶向和载流子浓度及晶体完整性应符合GB/T26072的规定’”。 将“3.3.3几何参数”改为“3.4加工参数”，增加了“主参考面长度”、“弯曲度”、“翘曲度”、“总平整度”、“表面颗粒”和“强度”要求值。 删除了“3.3.4锗衬底片的表面质量”、“3.3.5锗衬底片的表面完成”、“3.3.6锗衬底晶片边完成”、“3.3.7锗衬底片的表面状态”的文字描述，改成了“3.5表面质量”，并附上了具体要求表2。 增加了“3.6边缘轮廓”要求和“3.7其他”。 在“4试验方法”中根据产品的技术要求，增加了相应的试验方法。 调整5.3检验项目，并按非破坏性测量和破坏性测量分别制定抽样验收方案。 删除5.5.2和5.5.3的文字描述，确定锗衬底片其他检验项目的合格质量水平。 将6.1.1中“锗衬底片在ISO 14644-1级别ISO 5级洁净室，采用充氮气真空包装”修改为“锗衬底片按GB 50073中第三部分洁净度等级分类5级洁净室，装入专用的装运盒，外用洁净的塑料袋和防潮、防静电的铝箔袋充氮气真空包装”。 在上海讨论会上，专家们对讨论稿的意见反馈见标准征求意见稿和意见处理汇总表。 三．标准水平分析 因目前尚无国内外的