碳化硅抛光片微管密度无损检测方法的精密度测试报告.docVIP

PAGE 1 碳化硅抛光片微管密度无损检测方法的精密度测试报告 测试目的 本测试是为了验证国家标准草案《碳化硅抛光片微管密度无损检测方法》中规定的碳化硅抛光片微管密度的测试方法的精密度。 测试仪器 具有正交偏光系统的光学显微镜 测试概要 本测试根据《碳化硅抛光片微管密度无损检测方法》的要求，由北京天科合达蓝光半导体有限公司（简称天科合达）和中国科学院半导体研究所（简称半导体所）两家单位，分别对Φ50.8mm和Φ76.2mm的碳化硅抛光片的微管密度重复测量3次，根据3次测试的结果分别计算该方法的重复性测试的精密度。 测试过程及结果 Φ50.8mm碳化硅抛光片微管密度测试位置分布和测试值 中国科学院半导体研究所测试结果 序号 测试点位置 测试点面积(mm2) 测试值（个） 第1次 第2次 第3次 1 5 35.7 0 0 0 2 5.5 47.6 0 0 0 3 6 53.55 0 0 0 4 6.5 59.5 0 0 0 5 7 65.45 0 0 0 6 7.5 71.4 0 0 0 7 8 71.4 0 0 0 8 8.5 71.4 1 1 1 9 9 71.4 5 6 7 10 9.5 71.4 15 10 12 11 10 65.45 20 19 17 12 10.5 65.45 30 29 38 13 11 59.5 7 9 10 14 11.5 59.5 2 2 0 15 12 47.6 0 0 0 16 12.5 35.7 0 0 0 合计 - 952 80 76 85 微管密度 - - 8.40 7.98 8.93 北京天科合达蓝光半导体有限公司测试结果 序号 测试点位置 测试点面积(mm2) 测试值（个） 第1次 第2次 第3次 1 6.5 24 0 0 0 2 7 42 0 0 0 3 7.5 54 0 0 0 4 8 54 0 0 0 5 8.5 66 0 0 0 6 9 66 0 0 0 7 9.5 72 0 1 1 8 10 78 0 3 3 9 10.5 78 0 0 0 10 11 78 6 6 4 11 11.5 72 9 2 3 12 12 72 24 18 24 13 12.5 72 4 5 10 14 13 66 1 1 1 15 13.5 60 0 0 0 16 14 48 0 0 0 17 14.5 42 0 0 0 18 15 24 0 0 0 合计 - 1068 44 36 46 微管密度 - - 4.12 3.37 4.31 φ50.8mm碳化硅抛光片微管密度测试结果 单位：个/cm2 测试单位 第一次测试结果 第二次测试结果 第三次测试结果 半导体所 8.40 7.98 8.93 天科合达 4.12 3.37 4.31 Φ76.2mm碳化硅抛光片微管密度测试位置分布和测试值 中国科学院半导体研究所测试结果 序号 测试点位置 测试点面积(mm2) 测试值（个） 第1次 第2次 第3次 1 3 41.65 0 0 0 2 3.5 53.55 0 0 0 3 4 71.4 1 2 0 4 4.5 77.35 1 1 1 5 5 77.35 1 0 0 6 5.5 89.25 1 3 1 7 6 95.2 7 3 3 8 6.5 95.2 1 1 1 9 7 101.15 1 0 0 10 7.5 101.15 1 4 3 11 8 107.1 8 10 10 12 8.5 107.1 9 14 8 13 9 107.1 13 18 13 14 9.5 107.1 7 7 11 15 10 107.1 1 3 8 16 10.5 107.1 3 3 4 17 11 101.15 1 2 1 18 11.5 95.2 0 0 0 19 12 95.2 0 0 0 20 12.5 89.25 1 0 0 21 13 83.3 0 0 0 22 13.5 77.35 0 0 0 23 14 71.4 0 0 0 24 14.5 59.5 0 0 0 25 15 47.6 0 0 0 合计 - 2165.8 57 71 64 微管密度 - - 2.63 3.28 2.96 北京天科合达蓝光半导体有限公司测试结果 序号 测试点位置 测试点面积(mm2) 测试值（个） 第1次 第2次 第3次 1 4 30 0 0 0 2 4.5 48 0 0 0 3 5 60 0 0 0 4 5.5 66 0 0 0 5 6 72 0 0 0 6 6.5 84 0 0 0 7 7 90 1 1 1 8 7.5 96 9 5 5 9 8 96 5 3 4 10 8.5 102 4 2 2 11 9 102 1 5 4 12 9.5 108 12 9 6 13 10 108 15 17