国家标准《太阳能电池用硅片尺寸及电学表征在线测试方法》（送审稿）.docVIP

GB/T 3501—×××× GB/T 3501—×××× PAGE 2 PAGE II ICS 29.045H 80 ICS 29.045 H 80 中华人民共和国电子行业标准 SJ/T XXXXX—XXXX 太阳能电池用硅片尺寸及电学表征 在线测试方法 Inline measurement methods for geometry and electrical characterizations of Si wafers for solar cells (审定稿) 2012年11月16日 201X—XX—XX发布 201X—XX—XX实施 中华人民共和国工业和信息化部 发 布 SJ/T XXXX—XXXX SJ/T XXXX—XXXX PAGE II 前 言 本标准是按照GB/T1.1-2009给出的规则起草的。 本标准由全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分会（SAC/TC203/SC2）提出并归口。 本标准起草单位：全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分技术委员会 瑟米莱伯贸易（上海）有限公司 浙江精功科技股份有限公司 江苏协鑫硅材料科技发展有限公司 本标准主要起草人：江波涛 贺东江 卫国军 冯俊 熊伟 徐自亮 薛抗美 黄黎 PAGE 2 PAGE 11 太阳能电池用硅片尺寸及电学表征在线测试方法 1范围 本标准规定了太阳能电池用硅片（以下简称硅片）尺寸及电学表征的非接触在线测试方法，其中尺寸包括硅片边长、对角线长度、邻边垂直度、厚度及总厚度变化，电学表征包括导电类型、少子寿命及电阻率等，并规定了硅片的测量装置与环境要求、干扰因素、测量程序以及测量结果的计算和试验报告内容等。 本标准适用于太阳能电池用硅片的尺寸及电学表征在线测试。如应用于其他样品或参数，则需经相关各方协商同意。 2规范性引用文件 下列文件对于本文件的应用是必不可少的。凡是注日期的引用文件，仅所注日期的版本适用于本文件。凡是不注日期的引用文件，其最新版本（包括所有的修改单）适用于本文件。 GB/T 6616 半导体硅片电阻率及硅薄膜薄层电阻测试方法 非接触涡流法 GB/T 6618 硅片厚度和总厚度变化测试方法 GB/T 14264 半导体材料术语 GB/T 26068 硅片载流子复合寿命的无接触微波反射光电导衰减测试方法 GB/T XXXX 太阳能电池用硅片厚度及总厚度变化测试方法 SJ/T XXXX 太阳能电池用硅片外观尺寸测试方法 SJ/T XXXX 太阳能电池用硅片电阻率在线测试方法 3 术语定义、符号及缩略语 GB/T 14264界定的术语和定义适用于本标准。 4 方法概述 4.1 尺寸 拍照法 在成像系统固定不变的情况下，物体及它的像的几何尺寸存在着固定的一一对应关系。采用相机获取硅片的图像，通过已经标定好的上述对应关系，分析所获得的硅片图像即可推算出所测硅片的边长、对角线长度、邻边垂直度、倒角边长等外观尺寸。根据拍摄方法的不同，可将测量用的相机分为阵列式相机和线性相机两种。其中，阵列式相机拍摄图像时要求硅片作短暂的停顿，线性相机则可直接拍摄运动状态下的硅片。更详细的情况见SJ/T XXXX 太阳能电池用硅片外观尺寸测试方法。 4.2 厚度及总厚度变化 电容法或光学法 测量探头是利用电容式、光学式等非接触技术测量探头和硅片表面之间相对距离的传感器，成对的、分别位于硅片上方和下方的探头可以测量出硅片上、下表面相对于同一侧探头的距离。由已知的探头间距可以计算出硅片被测点当前的厚度。当硅片匀速穿过该测试位置时，测量探头在硅片上的测量位置形成一条扫描路径，最后给出硅片在扫描路径上的若干厚度值，由其中的最大值减去最小值可得到总厚度变化值。更详细的情况见GB/T XXXX 太阳能电池用硅片厚度及总厚度变化测试方法。 4.3 导电类型 表面光电压法 当光照射半导体时，会产生非平衡载流子，从而改变半导体材料表面相对于体内的电势。光照前后半导体材料表面电势之差被称为表面光电压，如图1所示。不同导电类型的半导体材料表面光电压的变化趋势是不同的，所以通过测量表面光电压的变化趋势即可判定样品的导电类型。使用此方法可以测量电阻率为0.02Ωcm ~ 3000Ωcm的硅片的导电类型。 图1 表面光电压测量原理示意图 4.4 少子寿命 微波反射光电导衰减法 采用红外脉冲激光照射硅片，在其内部产生大量非平衡载流子。撤去激光激励后，采用微波反射信号测得非平衡载流子的复合规律，分析得到的微波反射信号的衰减规律可以计算出非平衡载流子寿命。更详细的情况见GB/T 26068。 4.5 电阻率 涡流法 采用高频交流线圈产生的交变磁场诱导硅片内产生环形电流，即涡流。该涡流会阻碍线圈中的高频交流电，为保证线圈上电流恒定，则需提高加载在线圈上的