国家标准《碳化硅抛光片微管密度无损检测方法》（征求意见稿）.docVIP

ICS FORMTEXT 77.040.99 FORMTEXT H 17 中华人民共和国国家标准 GB/T FORMTEXT XXXX— FORMTEXT XXXX FORMTEXT FORMTEXT 碳化硅抛光片微管密度无损检测方法 FORMTEXT a method of nondestructive examination of micropipe density in silicon carbide monocrystalline polished wafer FORMTEXT FORMDROPDOWN FORMTEXT FORMTEXT XXXX - FORMTEXT XX - FORMTEXT XX发布 FORMTEXT XXXX - FORMTEXT XX - FORMTEXT XX实施 GB/T XXXXX—XXXX PAGE 2 碳化硅抛光片微管密度无损检测方法 范围 本标准规定了4H晶型碳化硅和6H晶型碳化硅单晶抛光片的微管密度的无损检测方法。 本标准适用于4H晶型碳化硅和6H晶型碳化硅单晶片经单面抛光或双面抛光后、微管的径向尺寸在几微米至几十微米范围内的微管密度的测量。样品表面法线方向为<0001>方向，且其偏离角不应大于±8°。 定义 术语和定义 微管micropipe 4H或6H碳化硅单晶沿c轴方向延伸且径向尺寸在一微米至几十微米范围的中空管道，称为微管。 微管密度micropipe density 单位面积内微管个数，记为MPD，单位为：个/cm2。 符号 D：碳化硅晶片微管密度（MPD），即单位面积内微管个数，单位为：个/cm2。 n：测量点的数目，单位为：个。 S: 视场面积，单位为：cm2。 Ni：第i个测量点的微管数目，i=1,2,3……n，单位为：个。 方法提要 无损检测方法是利用入射光线在微管周围处的折射系数差异来确定微管，从而计算出相应的微管密度。其测试过程及原理是：测试系统的光源首先通过偏振光片P1（起偏器），自然光改变成为具有一定振动方向的光；如果样品的整体面上晶格排列均匀，即折射率相同，那么，经过样品的光线仍旧是同一振动方向的光；这样，经过与P1成90度的偏振光片P2（检偏器）后被探测器的光强信号将是均匀的光线。如果样品某处存在微管，碳化硅微管内部中空，且周围由于存在一定的应力场，其相应的折射系数不一致，那么，经过样品的光线其在微管附近振动方向与整体不再平行，结果探测器得到的光强信号反映出相应得差别。示意图如图1。 当样品表面平行于（0001）晶面时，微管显示为蝴蝶状亮点；当样品表面偏离（0001）晶面时，微管显示为彗星状，这种光强信号的差别表示微管的存在。用正交偏光显微镜在透射光模式下放大50倍至或100倍下观察，当晶片切割方向垂直于c轴时，微管的典型形貌为蝴蝶状，如图2（a）所示；当切割方向与c轴存在夹角，则微管的形貌如彗星状，如图2（b）所示。 计量单位面积上微管的个数即得到碳化硅微管密度。 微管无损检测原理图 微管在透射偏光下的典型形貌 一般要求 测试系统构成及系统设备要求 具有透射正交偏光的光学显微镜，放大倍数50-100倍。 图像采集设备及图像分析系统。 环境要求 环境温度：23±5 相对湿度：≤90% 大气压：86KPa～106KPa 试样要求 测试样片应为单面抛光或双面抛光的碳化硅单晶片，样品表面法线方向为<0001>方向，且其偏离角不应大于±8°。 测量点的位置 测量点应均匀分布在晶片上，并应去除1~2mm宽边缘区域，如图2所示。测量时X方向为连续观测，Y方向为步进观测，步进长度比视场高度稍大，以保证测量面积足够。 2英寸圆形单晶片的测量点位置分布图 测量区域的面积 测量区域的总面积不应小于晶片总面积的2/3。 测试程序 测试系统准备 正式测试前，检查确定测试系统各仪器处于良好状态。确定测试系统在无测试样片时，系统的透射光经过两个偏光镜的正交偏光后观察视野为黑色无光线透过。 测试步骤 打开光源，检查是否正常工作。 调节两个起偏镜和检偏镜，使透射光处于正交状态。 将样品放在载物台上，并使其处于起偏镜和检偏镜之间，选择透射光，根据视场大小，选择合适的放大倍数（50倍至100倍），调节焦距使图像分析仪监视器显示的图像清晰。 在载物台上标好相应的刻度，按照5.4规定的测量点位置上下左右移动载物台，分别检测并记录各观察点视野范围内的微管数目。 图像分析、数据处理。 分析结果的计算 碳化硅晶片微管密度（MPD）按下列公式计算： ( SEQ 标准自动公式 \* ARABIC 1) 式中： D——碳化硅晶片微管密度（MPD），个/cm2； h——每个视场的高度，单位cm; li——x方向连续测量时，第i行连续测量的长度，单