行业标准《太阳能电池用硅片尺寸及电学表征在线测试方法》（预审稿）.docVIP

GB/T 3501—×××× GB/T 3501—×××× PAGE 2 PAGE II ICS XX.XXX.XXHXX ICS XX.XXX.XX HXX 中华人民共和国电子行业标准 SJ/T XXXXX—XXXX 太阳能电池用硅片尺寸及电学表征 在线测试方法 Inline measurement methods for geometry and electrical characterizations for solar cell Si wafers (预审稿) （本稿完成日期：2012年9月26日） 201X—XX—XX发布 201X—XX—XX实施 中华人民共和国工业和信息化部 发 布 YS/T XXXX—XXXX SJ/T XXXX—XXXX PAGE II 前 言 本标准是按照GB/T1.1-2009给出的规则起草的。 本标准由全国半导体设备和材料标准化技术委员会（SAC/TC203）提出并归口。 本标准负责起草单位：全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分会，瑟米莱伯贸易（上海）有限公司, 浙江精功科技股份有限公司。 本标准主要起草人：江波涛，贺东江，田素平，卫国军，黄黎 PAGE 2 PAGE 2 太阳能电池用硅片尺寸及电学表征在线测试方法 1范围 本标准规定了采用无接触技术对由传送装置支撑并传送的太阳能电池用硅片（以下简称硅片）的外观尺寸及电学表征进行在线测试方法。 本标准适用于太阳能电池用硅片。电学表征包括导电类型、少子寿命、厚度及电阻率。 2规范性引用文件 下列文件对于本文件的应用是必不可少的。凡是注日期的引用文件，仅所注日期的版本适用于本文件。凡是不注日期的引用文件，其最新版本（包括所有的修改单）适用于本文件。 GB/T 6616 半导体硅片电阻率及硅薄膜薄层电阻测试方法 非接触涡流法 GB/T 6618 硅片厚度和总厚度变化测试方法 GB/T 14264 半导体材料术语 GB/T 26068 硅片载流子复合寿命的无接触微波反射光电导衰减测试方法 GB/T XXXX 太阳能电池用硅片厚度及总厚度变化测试方法 YS/T XXXX 太阳能电池用硅片外观尺寸测试方法 YS/T XXXX 太阳能电池用硅片电阻率在线测试方法 3 术语定义、符号及缩略语 GB/T 14264界定的以及下列术语和定义适用于本文件。 3.1 原切片 As-cut Wafer 硅棒或硅块经过切割和清洗而得到的、没有经过任何表面处理的硅片。 3.2 边缘剔除 Skip Edge 进行在线测试时，由于测试原理、仪器硬件等条件的限制，当测试探头靠近硅片边缘时，测试结果会出现较大误差导致测试结果不可信，需要将这部分测试数据剔除，以保证测试数据的可靠性。 4 方法概述 测试过程中，硅片由传送装置支撑并传送。当硅片进入测试模组时开始测量，当硅片通过所有测试模组时结束测量。 4.1 硅片尺寸 拍照法 在成像系统固定不变的情况下，物体及它的像的几何尺寸存在着固定的一一对应关系。采用相机获取硅片的图像，通过已经标定好的上述对应关系，分析所获得的硅片图像就可获得所测硅片的尺寸。更详细的情况请详见相应的行标YS/T XXXX 太阳能电池用硅片外观尺寸测试方法。 根据拍摄方法的不同，可将测量用的相机分为阵列式相机和线性相机两种。其中，阵列式相机拍摄图像时要求硅片作短暂的停顿，线性相机则可直接拍摄运动状态下的硅片。 4.2 导电类型 表面光电压法 在半导体表面，由于晶格的周期性结构终止而存在大量的悬挂键，因此半导体表面的性质与体内是不一样的。一般情况下，半导体材料表面都会存在薄的自然氧化层，因此半导体材料的表面通常会处于耗尽状态。换言之，半导体材料表面的多数自由载流子浓度略微低于体内，相应地，半导体材料表面会存在能带弯曲，表面和体内会存在一个电势差。 当光照射半导体时，会产生非平衡载流子，光照产生的非平衡载流子会降低半导体材料表面跟体内的电势差。光照前后半导体材料表面的电势之差被称为表面光电压，如图1所示。不同导电类型的半导体材料表面光电压的变化趋势是不同的，所以通过测量表面光电压的变化趋势即可判定样品的导电类型。 图1 表面光电压测量原理示意图 4.3 少子寿命 微波反射光电导衰减法 采用红外脉冲激光照射硅片，在其内部产生大量非平衡载流子。撤去激光后，采用微波反射信号测得非平衡载流子的复合规律，分析得到的微波反射信号的衰减规律可以计算出非平衡载流子寿命。 更详细的情况请详见国标GB/T 26068 硅片载流子复合寿命的无接触微波反射光电导衰减测试方法。 4.4 厚度及总厚度变化 电容法或光学法 测量探头是利用电容式、光学式等非接触技术测量