第一章常用电子元件.pptx

第 1 章 半导体器件;;1.1.1 本征半导体;硅(锗)的原子结构;本征激发：;两种载流子;1.1.2 杂质半导体;;二、杂质半导体的导电作用;三、P 型、N 型半导体的简化图示;;3. 扩散和漂移达到动态平衡;;三、PN 结的伏安特性;1.2　半导体二极管;1.2.1 半导体二极管的结构和类型;点接触型;1.2.2 二极管的伏安特性;二、二极管的伏安特性;反向击穿类型：;硅管的伏安特性;温度对二极管特性的影响;1.2.3 二极管的主要参数;影响工作频率的原因 —;1.3　二极管电路的 分析方法;1.3.1 理想二极管及二极管特性的折线近似;二、二极管的恒压降模型;三、二极管的折线近似模型;UD(on);[解];例1.3.2 试求电路中电流 I1、I2、IO 和输出电压 UO 的值。;UO = VDD1 ? UD(on)= 15 ? 0.7 = 14.3 (V);例 1.3.3 二极管构成“门”电路，设 V1、V2 均为理想二极管，当输入电压 UA、UB 为低电压 0 V 和高电压 5 V 的不同组合时，求输出电压 UO 的值。;输入电压;例 1.3.4 画出硅二极管构成的桥式整流电路在 ui = 15sin?t (V) 作用下输出 uO 的波形。;;例 1.3.5 ui = 2 sin ?t (V)，分析二极管的限幅作