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电磁工程设计与仿真 主要内容 3.建立三极管模型 4.稳定性判断 StabFact（K1） StabMeas（b0） Mu（μ1） 绝对稳定 二、最大增益设计 1.最大增益： 二、最大增益设计 2.计算实例： 已知FLM0910-25F在10.5GHz小信号S参数： S11=0.44∠-17.05°，S12=0.06∠-137.92°，S21=2.50∠156.88°，S22=0.33∠-35.26°。计算最大转换增益时输入端/输出端反射系数。 三、输入输出阻抗匹配设计 1.一般微波放大器结构： Z0 ? Zs Γ0?Γs ZL ? Z0 ΓL?Γ0 2.输入/输出阻抗匹配设计 (1)输入阻抗匹配设计：Smith Chart 源端 负载端 结果：l2=46.528° l1=109.047° (2)输出阻抗匹配设计：Smith Chart 源端 负载端 结果：l2=37.959° l1=135.239° 2.输入/输出阻抗匹配设计 输入阻抗匹配: 2.输入/输出阻抗匹配设计 输入阻抗匹配: 3.输入阻抗匹配仿真 结果：L2=46.528° L1=109.047° (1)新建SCH：AMP_Xband_InMatch Sub：er=3.02 H=0.508 LineCal: L1=5.496mm L2=2.345mm S22=0.447 / 5.0° 为什么有差别？ 3.输入阻抗匹配仿真 (2)调谐L1,L2：使得S22=Γs Tune: L1=4.985mm L2=2.417mm 问题: 如果S22幅度偏小或偏大，调哪一个？ 如果S22相角偏大或偏小，调哪一个？ 4.输出阻抗匹配仿真 (1)新建SCH：AMP_Xband_OutMatch； （2）调谐L1,L2 结果：l2=37.959° l1=135.239° Tune: L1=6.305mm L2=1.989mm 四、微波放大器整体仿真 1.新建SCH：AMP_Xband_AllMatch 四、微波放大器整体仿真 2.结果 * 第七章 ADS有源电路 设计与仿真 国防科技大学电子科学与工程学院 柴舜连 教授 2014.04 7.2 微波混频器设计与仿真 7.3 微波振荡器设计与仿真 （自学） 7.1 微波放大器设计与仿真 7.1.1 微波放大器设计基础 7.1.2 最大增益放大器设计与仿真 7.1.3 恒定增益放大器设计与仿真 （简要，仿真实验） 7.1.4 低噪声放大器设计与仿真 （简要，仿真实验） 7.1 微波放大器设计与仿真 7.1.1 微波放大器设计基础 1. 微波三极管 2. 输入匹配电路 3. 输出匹配电路 4. 栅极偏置电路 5. 漏极偏置电路 6. 源/负载阻抗（50Ω） 1 2 3 4 5 6 6 7.1.1 微波放大器设计基础 一、微波三极管 二、单枝节阻抗匹配基础 三、放大器转换增益与稳定性 四、偏置电路基础 一、微波三极管 Microwave transistors: 1. Junction transistors: bipolar junction transistors (BJTs) heterojunction bipolar transistors (HBTs) BJT: usually made using silicon (Si), frequencies below 2–4 GHz; higher gain; lower cost; biasing with single power supply; noise figure not as good as FETs. HBT: Frequencies exceeding 100 GHz; SiGe HBTs: low-cost circuits, 60 GHz or higher. MESFET (metal semiconductor FET) MOSFET (metal oxide semiconductor FET) HEMT (high electron mobility transistor) PHEMT (pseudomorphic HEMT) GaAs MESFETs HEMTs: low-noise, 60 GHz or more. GaN HEMTs: high power RF and microwave amplifiers. CMOS FETs: RF integrated circuits, high integration,
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