电工学第七版下册第14章半导体课件下.pptVIP

加备注：2发射极开路时由于集电结反偏，集电区和基区中的少数载流子运动所形成的电流。 3基极开路，集电结处于反偏和发射结处于正偏时的集电极电流，又因为它好像是从集电极直接穿透晶体管而到达发射极的，所以又称穿透电流。 1，2，3是表明晶体管好坏的主要指标，4，5，6是极限参数，晶体管的使用限制。 * (14-*) 例1: ? = 50， USC = 12V, RB =70k?， RC =6k? 当USB = -2V，2V，5V 时，晶体管工作于哪 个区？ 解：当USB =-2V时： IC UCE IB USC RB USB C B E RC UBE IB=0 ， IC=0 T 管工作于截止区 (14-*) T 管工作于放大区 IC UCE IB USC RB USB C B E RC UBE 解：USB =2V时： IC最大饱和电流： (14-*) 解：USB =5V时: IC UCE IB USC RB USB C B E RC UBE T 管工作于饱和区，因IC 和IB 已不是 ? 倍的关系 IC最大饱和电流： (14-*) 在以后的计算中，一般作近似处理： ? = 解： IB=0 20?A 40?A 60?A 80?A 100?A 3 6 IC(mA ) 1 2 3 4 UCE(V