半导体器件物理Chapter3-4.pdf

3.13 BJT的设计 3.13.1 优化设计的目的--提高性能 尽可能大的电流增益 尽可能快的速度，高的fT，或小的延迟时间 尽可能减少寄生电阻和电容 半导体器件物理 © Dr. B. Li 3.12.2 各种用途的BJT 微波BJT 功率BJT 开关BJT 半导体器件物理 © Dr. B. Li 1、微波晶体管 • 用于高频小信号的放大 • 特征频率f 是重要的指标，通常要求f 1GHz T T • 其他参数还有最高振荡频率f 、噪声系数等 M • 由于μμ ,微波晶体管全为npn型 n p • 设计中需要尽可能减小寄生效应 尺寸和形状的仔细设计 • 为减小电流集边效应 加大发射区周长/发射区面积 半导体器件物理 © Dr. B. Li 2、功率晶体管 • 用于功率放大，需要承受高电压，通过大电流 • 功率和击穿电压是重要参数 • 设计中需要注意散热、通过采用厚WB和大条宽 半导体器件物理 © Dr. B. Li 功率特性 功率特性 在大电流下，直流放大系数和特征频率都会快速下降。 在大电流下，直流放大系数和特征频率都会快速下降。 大注入效应： 大注入效应： 1. 基区电导调制（β下降）和大注入自建电场（β上升） 。 1. 基区电导调制（β下降）和大注入自建电场（β上升） 。 2. 基区扩展效应，电流增益下降，特征频率下降。 2. 基区扩展效应，电流增益下降，特征频率下降。 3. 发射极电流集边效应。减少发射结条宽，增加周长。 3. 发射极电流集边效应。减少发射结条宽，增加周长。 4. 结温升高，本征激发超过杂质浓度，整流特性被破坏。 4. 结温升高，本征激发超过杂质浓度，整流特性被破坏。 半导体器件物理 © Dr. B. Li 最大集电结耗散功率P P = I V 最大集电结耗散功率P P = I V CM C C CE CM C C CE 在此功率下，晶体管仍能够正常而又安全地工作。 在此功率下，晶体管仍能够正常而又安全地工作。 超过此功率，由于晶体管放大扎状态时，集电结反压，外加电压 超过此功率，由于晶体管放大扎状态时，集电结反压，外加电压 主要降再集电结上，集电结是晶体管的发热中心，过大电流则结 主要降再集电结上，集电结是晶体管的发热中心，过大电流则结 温过高，使晶体管参数变化或毁坏。 温过高，使晶体管参数变化或毁坏。 因此，晶体管工作时，集电极允 因此，晶体管工作时，集电极允 许的最大电流和最大电压不能同 许的最大电流和最大电压不能同 时出现。 时出现。 晶体管功率曲线。 晶体管功率曲线。 半导体器件物理 © Dr. B. Li 晶体管的二次击穿 造成功率晶体管或高频大功率晶体管突然烧毁或 是