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第三章习题答案
3–2．考虑一个NPN硅晶体管，具有这样一些参数：，在均匀掺杂基区。若集电结被反向偏置，，计算在发射结基区一边的过量电子密度,发射结电压以及基区输运因子。
解：
发射结电压：
流入基区过量载流子浓度：
基区输运因子：
3–6．1）忽略空间电荷区的复合电流，证明晶体管共发射极输出特性的精确表达式为
V—
2）若II且，证明上式化为
解答：
1）由E-M方程：
(3-4-10)
将 代入（3-4-10）：
上式代入到E-M方程
（3-4-11）
中
从中解出
（1）
类似地，由（3-4-11）中解得
代入到（3-4-10）中，用代替，解出
（2）
并利用
V- （3）
（3）即为可证。（注：按约定，）
2）.
II且于是（3）式可写成
（4）
令
，
有
解法2：1）
由
由E-M模型等效电路：
同解法1）。
3-12．硅NPN晶体管在300K具有如下参数：IE=1mA,CTE=1pF,, Dn=25cm2/S,
, rSC=2.4μm, CTC=0,2pF，hFE=100。求发射区－集电区渡越时间和截止频率。
解答：发射结电容充电时间：
基区渡越时间：
集电结耗尽区渡越时间：
集电结电容充电时间：
于是，发射区—集电区渡越时间为：
共基极截止频率：
特征频率fT
共发射极截止频率：。
3-15.一均匀基区硅BJT，基区宽度为，基区杂质浓度。若穿通电压期望值为BVBC=25V，集电区掺杂浓度为若干？如果不使集电区穿通，集电区宽度至少应大于多少？
解答: 由
，有
解得
N型集电区的掺杂浓度必须保证耗尽区延伸到集电区而不使集电区发生穿通。
集电区空间电荷区宽度
忽略，穿通击穿时，BVBC=25V，则
集电区宽度至少要大于。
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