半导体器件物理复习.ppt

半导体器件物理 ? Dr. B. Li pn结 1 PN结的杂质分布、空间电荷区，电场分布 2 平衡载流子和非平衡载流子(空间电荷区边界注入的非平衡载流子浓度）(公式） 3 Fermi 能级，准Fermi 能级，平衡PN结能带图，非平衡PN结能带图 4 pn结的接触电势差(公式） 5 非平衡PN结载流子的注入和抽取 过剩载流子的产生与复合 6 理想二极管的电流~电压关系(公式），并讨论pn结的单向导电性和温度特性。 7 PN结大注入效应，大注入和小注入时的电流电压特性的比较。（扩散系数增大一倍） 8 比较pn结自建电场，缓变基区自建电场和大注入自建电场的异同点。 9 势垒电容与扩散电容的产生机制 10 三种pn结击穿机构 11 雪崩击穿的条件？讨论影响雪崩击穿电压的条件。 12 PN结的交流等效电路？ 13 PN结的开关特性，贮存时间的影响因素。 14 肖特基势垒二极管与PN结二极管的异同。 双极晶体管 1晶体管基本结构(三个区域的掺杂浓度的数值大小)和代表符号。 2晶体管处在放大区时的能带图，电流分布图，基区少子浓度分布图（四种偏置）。 3晶体管具有放大能力的基本条件。 4发射效率γ和基区输运因子?T的定义。提高晶体管电流放大系数的主要措施。 5晶体管的Ebers-Moll模型及其等效电路和互易关系。(公式） 6 晶体管共基极和共射极放大系数之间的关系。 (公式） 7 晶体管共基极和共射极输入、输出特性和转移特性曲线 8 大电流效应及对器件特性的影响 8.1 大注入效应？Rittner效应(基区电导调制效应)和Webster(韦伯斯脱)效应（大注入内建电场效应）。 8.2 基区纵向扩展和横向扩展效应(Kirk效应)。 8.3发射极电流集边效应。 9 什么是Early效应? 对器件特性有什么影响？ 10 了解基极电阻的求解。减少基极电阻的途径。 11 基区穿通和外延层穿通 12 三种击穿电压的关系 13 写出载流子从发射极到集电极的总传输延迟时间的表达式，并说明各传输延迟时间的意义，如何提高晶体管的特征频率fT？ (公式） 14 f?, f? fT ,fm的定义，及相互间的大小关系？ 15 开关过程中，各个开关时间的定义？开启时间ton和关段时间toff。提高开关速度的途径。 16 晶体管在开关过程中，EB结和CB结偏压是如何变化的。 MOS场效应晶体管 1 阈值电压及其影响因素（衬底浓度和偏压，氧化层中电荷,氧化层厚度等）。（VT表达式） 2 MOSFET工作原理及其类型。输出特性曲线和转移特性曲线。 3 亚阈值区及其特性（特点）。 4 什么是短沟道效应、窄沟道效应？DIBL效应？如何减弱其影响？ 5 MOSFET的伏安特性方程（线性区/饱和区） (公式） 6 栅跨导，衬底跨导，漏源电导。 (公式） 7 MOSFET小信号等效电路。提高频率性能的途径。 了解MOS器件按比例缩小的原则。 MOS结构的C－V特性（理想、实际）。 热载流子效应和闩锁效应 现代MOS器件的发展趋势 JFET和MESFET 1 JFET或MESFET工作原理。 2 场效应晶体管(FET)同双极晶体管(BJT)比较。 特种器件 了解以下器件的工作原理 TFT 不挥发存储器 CCD LED与激光器 太阳能电池 晶闸管 半导体器件物理 ? Dr. B. Li