半导体材料和其基本能带结构课件.pptVIP

5-1半导体材料和其基本能带结构;5.1 半导体及其基本能带结构 ;半导体的基本能带结构 一. 半导体材料;;1.3 半导体材料的分类;1.3 半导体材料的分类;第一代半导体，元素半导体(以Si和Ge为代表): 晶圆尺寸越来越大(8~12inch) 、特征线宽越来越小(32nm) SOI、GeSi、Strain Silicon，high K栅介质 第二代半导体，化合物半导体(以GaAs，InP等为代表) 超高速、低功耗、低噪音器件和电路，光电子器件和光电集成 增大晶体直径(4~6 inch) 、提高材料的电学和光学微区均匀性 超晶格、量子阱材料 第三代半导体，宽禁带半导体(以GaN，SiC，ZnO，金刚石等为代表) 高频大功率、耐高温、抗辐照半导体微电子器件和电路 新型半导体，以稀磁半导体，低维半导体等为代表;材料维度的发展 ;;5. 半导体材料的应用 ;;5.1 半导体及其基本能带结构 ;硅和锗的原子结构 简化模型及晶体结构;;;空穴 价带上的电子由于本征激发跃迁到导带上，留下一个空着的状态。这个在几乎充满的能带中未被电子占据的空量子态称为空穴。 由电中性条件，空穴可以看成是一个带正电的粒子，因此，空穴为一准粒子，其物理特性可以由价带电子的性质来描述。 引进空穴的概念后，价