半导体器件物理Chapter3－1.pdf

第三章 双极结型晶体管 半导体器件物理 © Dr. B. Li 3.1双极结型晶体管的结构 半导体器件物理 © Dr. B. Li 3.1双极结型晶体管的结构 发射区 基区 集电区 E C E + C N p N B B a b （） （） 发射区 基区 集电区 E + C E C p N p B B c （d ） （） 3-2 a NPN b a 图 （）理想的一维 双极结晶体管，（）图（ ）的电路符号 c PNP d c （）理想的一维 双极结晶体管，（）图（ ）的电路符号 半导体器件物理 © Dr. B. Li 何谓双极晶体管 双极晶体管是由靠得很近的两个PN结构成的半导体 器件。 什么叫靠得很近？ 靠得很近——有效基区宽度基区少子扩散长度 半导体器件物理 © Dr. B. Li 命名： 点接触晶体管的共基极输出特性曲线的特性 是电流控制，加在输入端的电流增量能在输 出端产生很强的电压增量。二者之比具有电 阻的量纲，并且是从输入到输出。因而，这 种放大器被命名为： Transresistor 转移电阻放大器 简称：Transistor 半导体器件物理 © Dr. B. Li • 六十年代出现了场效应晶体管，这种晶体管只 有一种载流子对电流传输起作用。 • 而NPN和PNP晶体管中，两种载流子都参与了 导电。 • 为了区别它们，人们将NPN和PNP晶体管称为 双极晶体管 Bipolar Junction Transistor 简称：BJT 半导体器件物理 © Dr. B. Li 3.1双极结型晶体管的结构 外基区 内基区 半导体器件物理