半导体器件物理晶体管小结.ppt

3.1 双极晶体管的结构 双极晶体管的定义 双极晶体管的电极、符号、表示方法 通过工艺步骤熟悉双极晶体管的结构 硅平面外延晶体管杂质分布的特点 双极晶体管的分类 3.2 双极晶体管中的电流传输 能带图、少子密度分布以及电流密度分布 放大原理 空间电荷区边界条件 直流特性曲线 3.3 电流增益 电流增益的定义和描述方法 本征电流增益的两个主要组成部分 发射极注入效率 基区输运系数 其它因素如何影响电流增益 提高电流增益的途径 3.4 EM方程 EM方程的形式及参数的定义 等效电路 互易关系 3.5 大电流效应和基区宽度调变效应 3.5.1大注入效应 大注入电场 大注入电导调制 大注入电场对基区渡越时间的影响 扩散系数乘以2 有效基区扩展效应（Kirk效应） 发射极电流集边效应 3.5.2 基区宽度调变效应（Early效应） Early电压 分析上述效应的产生机制，对BJT特性的影响，如何描述这些效应？－－理想特性与实际特性的差别。 直流参数和基极电阻 基极电阻 BJT的电击穿机构 雪崩击穿和隧道击穿 基区穿通 外延层穿通 三个击穿电压及其关系 3.6 晶体管频率特性 3.6.1 小信号模型 如何描述BJT的小信号工作 如何得到BJT的小信号参数和小信号等效电路 掌握BJT的混合π等效电路 混合π等效电路中各模型参数的定义、物理意义 3.6.2 特征频率和截止频率 特征频率和截止频率的定义和计算 传输延迟时间的组成 传输延迟时间各成分的产生机构、计算方法和影响因素 3.6.3 开关工作和开关时间 开关时间的定义 BJT的电荷控制方程 开关过程中BJT状态的改变 过剩载流子分布 影响开关时间的因素 研究BJT用于开关电路中的特性，重点要求掌握开关过程中BJT状态的改变，以及如何描述开关过程。包括静态特性、动态特性。 双极晶体管开关过程中发射结偏压和集电结偏压的变化 延迟过程：发射结偏压由反偏向正偏(0.5V)导通过渡， 集电结偏压由大的反偏到小的反偏过渡。 上升过程：发射结偏压由正偏(0.5V)到导通(0.7V) ， 集电结偏压由反偏到零偏过渡。 贮存过程：发射结正偏压基本不变， 集电结偏压由正偏到零偏过渡。 下降过程：发射结偏压由导通(0.7V)到正偏 (0.5V) ， 集电结偏压由零偏到大的反偏过渡。 * 半导体器件物理 ? Dr. B. Li 第三章 双极晶体管 * 半导体器件物理 ? Dr. B. Li