半导体器件物理习题课(MOS).ppt

MOS场效应晶体管总结 1 阈值电压及其影响因素（衬底浓度和偏压，氧化层中电荷,氧化层厚度等）。（VT表达式） 2 MOSFET工作原理。输出特性曲线和转移特性曲线。 3 亚阈值区及其特性（特点）。 什么是短沟道效应、窄沟道效应？DIBL效应？热载流子效应？如何减弱其影响？ MOSFET的伏安特性方程（线性区、饱和区） 栅跨导（线性区、饱和区） ，衬底跨导，漏源电导。 7 MOSFET小信号等效电路。提高频率性能的途径。 若短沟长度缩小K倍，按比例缩小原则，MOSFET的主要结构和器件参数应该作何调整？ MOS结构的C－V特性（理想、实际）。 从MOS晶体管出发，讨论发展MOS超大规模集成电路时，应在那些方面改变器件的结构和相应的工艺，并说明道理。 * 半导体器件物理 ? Dr. B. Li 习 题 1. MOSFET在饱和区载流子以漂移为主要运动方式，在亚阈值区载流子以扩散为主要运动方式。 2. 短沟道效应使阈值电压随沟长的减小而下降， 窄沟道效应使阈值电压随沟宽的减小而增加， 漏场感应势垒下降(DIBL)效应使阈值电压随漏源电压的增加而下降。 3.理想FET饱和区gm随VGS的增加而增加，随VT的减少而增加，与VDS无关。非饱和区，gm随VDS的增加而增加，与VGS无关。 4.夹段点相对源端的沟道压降为VGS-VT。 5.表面沟道MOSFET有那四种可能的类型？怎样区分它们？请分别画出他们的正向转移特性。 ?按沟道导电载流子的极性，MOSFET被分为n沟和p沟两类。 ?按零栅压时是否存在导电沟道又可分为增强(Enhanced)和耗尽型(Depletion mode) 。VGS＝0时截止，漏极电流近似等于零的器件是增强型的；VGS＝0时导通，漏极电流不等于零的器件是耗尽型的。 N沟耗尽和增强 p沟耗尽和增强 7.欲将n沟增强型MOS的VT向正方向增加，需变更什么参数？ (1)Co减少(dox增加)； (2)衬底浓度NA增加； (3)金属电极尽量采用功函数大的材料。 (4)衬底反偏电压|VBS|增加； 长沟：夹断饱和；短沟：速度饱和时导致漏电流饱和，电流饱和后再增加VDS，就形成偶极层，以维持电流的连续性。 6.场效应晶体管电流饱和的机理 8. 如果制造出一批n沟MOSFET是耗尽型的，在设计和制造上可以从哪些途径改进才有可能提高VT使得在制造出的n-MOSFET成为增强型的。 由耗尽型n沟MOSFET的VT 0变为增强型n沟MOSFET的VT 0。 减小氧化层电荷; 提高表面浓度(可采用p-Si表面杂质注入); 用Al2O3作栅绝缘材料(带负电荷); 增厚氧化层。 * 半导体器件物理 ? Dr. B. Li