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高频电子线路 王军 wangjun@stu.edu.cn 3.3 高频功率放大器的高频效应 1. 少数载流子的渡越时间效应 由于晶体管基区内的不平衡少数载流子向集电区扩散时需要一定的时间τ，这个时间称为“渡越时间”。在低频工作时τ远小于信号周期 ，因此它的影响不明显，集电极电流可以跟随信号的变化。但当信号频率比较高时，由于τ的影响，使ic滞后后ie到达最大值。而且当输入信号改变方向时，反向电场将把滞留在基区的少数载流子拉回发射区，形成反向发射极电流。由于晶体管的基区电阻和输入结电容的影响，也会使基极电流和集电极电流幅度下降，且基极电流超前输入电压一个相位，有明显的容性分量。 图3-25说明了功放在低频和高频工作时的情况。因此，功放的高频性能将下降，输出功率和效率都比在低频工作时要低很多。 2. 非线性电抗效应 功放管中存在集电结电容Cb‘c,这个电容是随集电结电压Ubc变化的非线性势垒电容。 4. 饱和压降的影响 晶体管工作于高频时, 实验发现其饱和压降随频率提高而加大。饱和电压的加大，使工作于临界状态的放大器的输出幅度下降，因此输出功率和效率也会降低。 在中点A，该点的平均电压应该为电源电压EC，因此从图3-33(f)中可以得到， 　　负载上的基波电压UL等于uce2方波脉冲中的基波电压分量。对uce2分解可得 负载上的功率为 (3-41) 可见 效率： 对基波谐振，而谐振时电感和电容上的压降大小相等，差180度，所以。。。 对输入电压滤波之后的基波电压信号就等于基波电流在RL上形成的电压 　　此时匹配的负载电阻为 (3-42) 　　影响电压开关型D类放大器实际效率的因素与电压开关型基本相同，即主要由晶体管导通时的饱和压降uces不为零和开关转换期间(脉冲上升和下降边沿)的损耗功率所造成。 　　开关型D类放大器的主要优点是集电极效率高，输出功率大。但在工作频率很高时，随着工作频率的升高，开关转换瞬间的功耗增大，集电极效率下降，高效功放的优点就不明显了。 由于D类放大器工作在开关状态，因而也不适于放大振幅变化的信号。 那用在哪儿？ * 汕头大学电子工程系 图3-25 载流子渡越时间对电流波形的影响 （a）低频工作时；（b）高频工作时 （1）若为负反馈：它的存在使得对高频信号呈现出低阻通道，使ib加大，rbb’上压降增大，ub‘e减小，ic减小，输出功率和效率下降。 为什么是非线性电抗？ 电容大小是受静态工作点非线性影响的一个可变电容。 非线性电抗效应的影响怎么样？ （2）若为正反馈：会带来放大器的不稳定。有可能会产生 寄生振荡!!! 例如：不考虑反馈时处于临界，负反馈则进入欠压区 3. 发射极引线电感的影响 在高频工作时，这个电感呈现出很大的阻抗，作为射级负反馈。从而减小了集电极电流、降低了输出功率和效率。 （3-49） 引入了什么反馈？ 电流串联负反馈 同样大小激励的作用下，会产生相对较小的输出电流。 降低了输出功率 降低了效率 原因是电压利用率降低了 为什么仅考虑发射极引线电感呢？ 原先临界，则进入欠压区 图3-27 晶体管的饱和特性 b c e 频率比较低时： 低频时忽略掉了体电阻 高频时，由于趋肤效应，体电阻的影响将体现出来： 如原先临界，则进入过压区 3.4 高频功率放大器的实际线路 不外乎要注意两个问题 (1)如何加直流偏置？ 要保证在静态时集电结和发射结都要反偏，以保证晶体管处于C类放大状态； (2)如何与前级或后级电路实现阻抗匹配？ 1． 集电极馈电线路 图3-27(a)中，晶体管、 谐振回路和电源三者是串联连接的，故称为串联馈电线路. 减小电源内阻(公共阻抗)造成 的共模干扰 3.4.1 直流馈电线路 为高频信号提供通路 (基波及各次谐波) 为直流信号提供通道,而 对高频信号呈现高阻抗, 阻止高频通过. Lb和Cb组成低通滤波器 Why？ (1)电源总是有内阻的，如果不加这样的滤波电路，则各次高频分量会在电源内阻上消耗能量，从而降低能量转换效率。 (2)另外一个侧面：共模干扰和稳定性问题 串联馈电的优点是Ec、 Lb、 Cb处于高频地电位，分布电容不影响回路 Lb和Cb组成低通滤波器 　　图 3-27(b) 中晶体管、 电源、 谐振回路三者