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3.4 埃伯斯-莫尔方程(E-M方程）
• 二十世纪50年代初出现双极型晶体管后不久，
Ebers 和Mool 就提出了EM 模型。
• EM 模型把晶体管看成由一个正向二极管和一个反
向二极管叠加而成。
• 晶体管中的两个PN 结分别用两个二极管来代表，
而基区载流子的传输特性则由电流源来代替。
• EM方程的建立，是为了用计算机来模拟BJT的特性。
目前BJT的模型有两种：EM模型和GP模型。
• EM模型使器件的电学特性和器件的工艺参数相联
系；GP模型则建立在器件电学特性和基区多子电
荷相联系的基础上。
半导体器件物理 © Dr. B. Li
3.4 埃伯斯-莫尔方程
3.4.1埃伯斯—莫尔（Ebers-Moll) 方程
埃伯斯—莫尔模型的等效电路图
(a)
(b)
αF 叫做正向共基极电流增益。
αR 叫做反向共基极电流增益。
（c）
(C)
图3-14 Ebers-Moll 模型 （a）NPN 一维晶体管，（b）将晶体管表示为有
公共区域的背靠背连接的二极管，（c）Ebers-Moll 模型等效电路
半导体器件物理 © Dr. B. Li
• 从前面的分析可知，发射极和集电极电流都是由自身的结电
流和另一个结传输过来的电流两部分组成，因此晶体管的基
本方程可写为
I I I − +α
F E R R （3-38）
I I I α −
C F F R （3-39）
规定IE 、IC 、IB 流入晶体管为其正方向
半导体器件物理 © Dr. B. Li
3.4 埃伯斯-莫尔方程
根据图3-14C可以写出
V V
E T
( )
I I e −1 （3-40）
F F 0
V V
C T
( )
I I e −1
R R 0 （3-41）
其中 I F 0和 I R 0 分别为两个二极管反向饱和电流。
联立（3-38），（3-39），（3-40）和 （3-41）式得到E-M方程
V V V V （3-42）
E T
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