半导体器件物理Chapter3-3.pdf

3.8晶体管的频率响应 半导体器件物理 © Dr. B. Li • 在交流工作状态下，pn结的电容效应将对晶体管的工作 特性发生影响。频率提高，pn结交流阻抗下降，对结电 容的充放电电流增加，使晶体管的放大能力下降。 • 频率愈高，单位时间用于充放电的电子愈多，到达集电 极的载流子愈少；结电容的分流作用愈大，基极电流愈 大。因此，交流放大系数是频率的函数，并随频率的升 高而下降。 • 同时，对结电容的充放电需要一定的时间，从而产生信 号延迟，使输出和输入信号存在相位差。因此，交流放 大系数是复数。 • 因此晶体管的使用频率受到一定限制。如何提高晶体管 的使用频率，是晶体管设计者和制造者的重要任务。 半导体器件物理 © Dr. B. Li 3.8晶体管的频率响应 小信号的共基极和共发射极电流增益定义为： dI dI C C α ≡ h ≡ V 常数 fe V 常数 dI E CB dIB CE 电流增益与频率的关系称为晶体管的频率响应： 半导体器件物理 © Dr. B. Li 3.8晶体管的频率响应 图中的各种频率定义为： ω α α ⑴共基极截止频率 ： 的大小下降为0.707 （即 的模量的平方等于 α α 0 0 α 的一半或者说下降3dB）时的频率。 ω h ⑵共发射极截止频率 β： fe 的大小下降为0.707 （下降3dB）时的频率。 h FE 和 也称为3dB频率。 ωα ωβ ⑶增益−带宽乘积 ，它是 的模量变为1时的频率，也叫做特征频率。 ωT hfe 相对频率的曲线的斜率为20dB/十进位，它可用下式来描述 α 0 α 1+ωj ω α （3-62） ω ω α 可见在 ， α的大小为0.707 α 0 相对频率的曲线的斜率为20dB/十进位，在ω ω 时 α 的大小下降 3dB，因而 α 也称 ω 为3dB频率。 α 半导体器件物理 © Dr. B. Li 3.8晶体管的频率响应 α h 利用 和 fe 之间的关系求得 α h hfe FE （3-63）