电工电子技术教学课件作者靳孝峰项目4.pptVIP

图4.12 返回 图4.13 返回 图4.13 返回 图4.14 返回 图4.15 返回 图4.15 返回 图4.17 返回 图4.17 返回 图4.18 返回 图4.19 返回 图4.20 返回 图4.20 返回 图4.20 返回 图4.21 返回 图4.22 返回 图4.23 返回 图4.24 返回 图4.24 返回 4.3 MOS管 N沟道耗尽型MOS管与增强型MOS管结构基本相同，工作原理和特性曲线相似。特性曲线如图4. 21所示。区别有以下两点: ①由于制造时，在二氧化硅绝缘层中掺入了大量的正离子，这些正离子的存在，使得U,;一。时，已形成N型导电沟道。如果在漏极和源极之间外加电压 0，即产生漏极电流io 上一页 下一页 返回 4.3 MOS管 ②改变U 就可以改变沟道的宽窄，从而控制漏极电流in。如果Uc;s 指向衬底的电场加强，沟道变宽，漏极电流i,〕将会增大;反之，若U};S 则栅压产生的电场与正离子产生的自建电场方向相反，总电场减弱，沟道变窄，沟道电阻变大，io减小。当U〔继续变负，等于某一阈值电压时，沟道将全部消失，i,}=，管子进入截止状态，此时对应的u, 值，称为夹断电压，表示为Ur ，国标为U};aa} 上一页 下一页 返回 4.3 MOS管 综上所述，N沟道耗尽型MOS管可以在正、负栅源电压下工作，并且栅极电流基本为零，这