电工电子技术教学课件作者荣红梅项目6制作电源指示灯电路.pptVIP

图 6-20 U GS 对导电沟道的影响 返回 图 6-21 场效应管特性测试电路 返回 图 6-22 转移特性曲线 返回 图 6-23 结型场效应管的输出特性曲线 返回 图 6-24 增强型 MOS 管的结构示意图 返回 图 6-25 N 沟道增强型 MOS 管工作原理及其图形符号 返回 图 6-26 转移特性曲线 返回 图 6-27 输出特性曲线 返回 图 6-28 N 沟道耗尽型 MOS 管的结构示意图和图形符号 返回 图 6-29 N 沟道耗尽型 MOS 管特性曲线 返回 * 6.3 半导体三极管 根据结构不同，场效应管可以分为结型场效应管（JFET）和绝缘栅型场效应管（IGFET）或称 MOS 型场效应管两大类。根据场效应管制造工艺和材料的不同，又可分为 N 沟道场效应管和 P 沟道场效应管。 6.4.1 结型场效应管 1．结构和符号 结型场效应管（JFET）结构示意图及电路符号如图 6-17 所示。其基本结构是：在一块 N型半导体材料的两侧分别制作了两个浓度很高的 P 型区，形成了两个 PN 结；将两侧的 P 型区连在一起，引出一个电极称为栅极 G；在 N 型半导体材料的两端各引出一个电极，分别为源极 S 和漏极 D。 下一页 返回 6.3 半导体三极管 在 6-17（a）中，两个 PN 结中间的 N 型区是漏极和源极之间的电流沟道，称为导电沟道。由于 N 型区中多数