2006能源与光电薄膜科技研讨会论文摘要格式说明-YOKEnet.docVIP

靶電流對Cr-C-N薄膜機械性質影響之研究 楊玉森1? 葉瀚文1? 林嘉豪2? 1國立高雄第一科技大學機械與自動化工程系 2國立高雄第一科技大學工程科技研究所 摘要 本研究利用反應性非平衡磁控濺鍍於SKH51高速鋼表面上濺鍍Cr-C-N薄膜，主要是要探討靶電流對Cr-C-N薄膜機械性質之影響。實驗固定參數為乙炔流量40%、氬氣25sccm、基板偏壓75V、基板頻率75KHz、工作距離9cm、基材轉速9rpm、離子轟擊電壓400V。改變靶電流參數由5A逐漸降至1A。Cr-C-N薄膜之晶體結構及顯微組織是由XRD、TEM及拉曼分析。薄膜之摩擦係數及磨耗率是由ball-on-disk磨耗實驗量測。實驗結果顯示，薄膜之摩擦係數與磨耗率會隨靶材電流之增加而增加。在靶電流3A以上時，薄膜結構為Cr23C6+Cr7C3，摩擦係數介於0.5~0.6之間，随著靶電流降低至2A以下時，薄膜轉變為非晶質DLC結構嵌入碳化物CrC，摩擦係數由0.5降至0.26。磨耗率則由1.67 E-05 mm3?N-1?m-1 降至4.17E-06 mm3?N-1 關鍵字:DLC、CrC、非晶質 英文摘要 In this study, the Cr-C-N films are deposited on high speed tool steel(SKH51) by the reactive unbala