半导体电力开关器件概要.pptVIP

* * * * 2.3.4 绝缘门极双极型晶体管IGBT（续2） G C E V g V R R d r R br T 2 T 1 I C A B R g 什么是擎住效应： 集电极电流iC过大； 集电极电压过高； 关断速度过快； Rbr上的电压过大，可使T2导通，使IGBT失去关断能力。 产生擎住效应的原因： * 绝缘门极双极型晶体管IGBT主要特点 电压控制开通和关断，控制功率小； 双极性导电，开关速度介于MOSFET和BJT之间； 电压电流耐量介于BJT和GTO之间； 无二次击穿现象，有擎住效应； 最近十年IGBT已得到广泛应用，3.3KV-4.5KV/1200-1800A的器件已开始实用。 * 2.3.4 绝缘门极双极型晶体管IGBT（续3） *2.3.5 MOS控制晶闸管MCT 晶闸管引入一对MOSFET构成了场控晶闸管MCT（图2.19） 开通P沟道的MOS管使MCT导通 开通N沟道的MOS管使MCT关断 * *2.3.6 集成门极换流晶闸管IGCT IGCT就是把GTO芯片与反并联二极管和门极驱动电路集成在一起，再将其门极驱动器在外围以低电感方式连接成环状的门电极。 优点：电流大、电压高，开关频率比较高 （比GTO大10倍），驱动功率小。 IGCT广泛应用於大功率电气传动，电力系统有源滤波，补偿及直流输电等电力