化合物半导体器件-第四章异质结双极型晶体管.pptVIP

①HBT:Heterojunctiong Bipolar Transistor，异质结双极晶体管 ②HBT的能带结构特点： a.宽禁带的e区： 利于提高γ； b.窄禁带的b区： Eg小于b、c区； c.pn结： 异质的eb结； 同质或异质的cb结。 ③HBT的基本结构 ①器件特点： 基区渡越初始速度高 ②基区输运模型： 弹道式渡越 ③晶格散射的影响： ④电流增益β： 高的β ⑤ΔEc： 应小于基区导带的 能谷差EL-EΓ ①电流输运：扩散模型 ②发射极电流： ③发射效率： ④电流增益： ⑤频率特性： ①缓变发射结： ②缓变基区： ③自建电场： ④速度过冲；⑤基区渡越时间；⑥电流增益； ⑦缓变基区的作用；⑧缓变基区的形成 ①两个重要的影响因素： ②总的τB： ③ΔEC和ΔEgB要适中： ④νd与ΔEC和ΔEgB的关系 ： ⑤电流增益： * 化合物半导体器件 化合物半导体器件Compound Semiconductor Devices微电子学院戴显英2010.5 第四章 异质结双极型晶体管 HBT的基本结构 HBT的增益 HBT的频率特性 先进的HBT 4.1 HBT的基本结构 4.1.1 HBT的基本结构与特点 图4.1 npn HBT结构的截面图 4.1 HBT