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第6章 半导体存储器 本章要点 本章主要介绍静态随机存储器与动态随机存储器的电路结构特点和工作原理，并且概括地介绍了只读存储器的结构特点和只读存储器的类型。重点介绍存储器的扩展方法。 动态MOS存储单元 6.1 概述 半导体存储器由存储单元矩阵构成，每个存储单元中要么是0，要么是1，每个矩阵单元可以通过行和列的位置来确定 ，存储单元矩阵可以有几种不同的构成形式。 半导体存储器的重要指标： 1．存储容量 指存储器可以容纳的二进制信息量，以存储器中存储地址寄存器（MAR， Memory Address Register）的编址数与存储字位数的乘积表示，M位地址总线、N位数据总线的半导体存储器芯片的存储容量为2M×N位。 如，某存储器芯片的MAR为16位，存储字长为8位，则其存储容量为216×8位 = 64K×8位，64K即16位的编址数。 2．存储速度 存储器的存储速度可以用两个时间参数表示 ：“存取时间”(Access Time) TA 和“存储周期”(Memory Cycle)TMC ，存储周期TMC略大于存取时间TA。 启动一次存储器操作，到完成该操作所经历的时间 起动两次独立的存储器操作之间所需的最小时间间隔 6.2随机存储器 随机存取存储器也称随机存储器或随机读/写存储器