半导体材料(总结)(2).pptVIP

* 溅射率 溅射率表示正离子轰击靶阴极时，平均每个正离子能从阴极靶上打出的原子数，溅射率又称溅射产额或溅射系数。 溅射率与入射离子的种类·能量·角度及靶材料的类型晶体结构，表面状态有关 (1)靶材料 (2)温度 (3)入射离子能量（有最佳值） (5)入射离子种类 (6)入射离子角度（60－80度） * 溅射镀膜的特点 相对于真空蒸发镀膜，溅射镀膜具有如下优点： 1、对于任何待镀材料，只要能做成靶材，就可实现溅射； 2、溅射所获得的薄膜与基片结合较好； 3、溅射所获得的薄膜纯度高，致密性好； 4、溅射工艺可重复性好，膜厚可控制，同时可以在大面积 基片上获得厚度均匀的薄膜。 溅射存在的缺点是：沉积速率低，基片会受到等离子体的辐 照等作用而产生温升。 * 溅射参数 溅射阈值：将靶材原子溅射出来所需的最小能量值。 溅射率：有称溅射产额或溅射系数,表示入射正离子轰击靶阴极 时,平均每个正离子能从靶阴极中打出的原子数。 溅射粒子的速度和能量：溅射原子所获得的能量值在1～10eV。 1.原子序数大的溅射原子逸出时能量较高，而原子序数小的溅射 原子溅射逸出的速度较高。 2.在相同的轰击能量下，溅射原子逸出能量随入射离子的质量而 线性增加。 3.溅射原子平均逸出能量随入射离子能量的增加而增大，担当入 射离子能量达到某一较高值时，平均逸出能量趋于恒定。 * （2） 离子成膜法（离子镀成膜技术） 离子镀膜法是美国Sandia公司的D.M.Mattox于1963年首先提出来的，它是在真空条件下，靠直流电场引起放电，阳极兼作蒸发源，基片放在阴极上，在气体离子和蒸发物质的轰击下，将蒸发物质或其反应物镀在基电底上。 由于使用离子轰击基片，可以获得附着性更好，膜的硬度更高，厚更厚的薄膜。 1-5kV 原子 离子 * 离子与基片表面的相互作用 1.离子轰击导致基片表面杂质吸附的脱附 和溅射.可以用于基片清洗. 2.离子轰击导致薄膜表层原子的混合,提 高薄膜与基片的结合力. 3.离子轰击导致表面扩散的增强,提高生长 面的均匀性. * 蒸发离子镀 离子镀是在真空条件下，利用气体放电使气体或 被蒸发物部分离化，产生离子轰击效应，最终将 蒸发物或反应物沉积在基片上。离子镀集气体辉 光放电、等离子体技术、真空蒸发技术于一身， 大大改善了薄膜的性能。优点是： 1、兼有真空蒸发镀膜和溅射的优点； 2、所镀薄膜与基片结合好； 3、到达基片的沉积粒子绕射性好； 4、可用于镀膜的材料广泛； 5、沉积率高； 6、镀膜前对镀件清洗工序简单且对环境无污染。 * 成膜原理 在离子镀的过程中，存在两种反的过程 其一，淀积作用 ?：淀积速率（?m/min） ?：薄膜密度 g/cm3 M：淀积物质的摩尔质量 NA：质量阿佛伽德罗常数 其二，剥离作用 j：入射离子形成的电流密度（mA/cm2） 镀膜条件：n nj * （3）分子束外延 分子束外延(Molecular Beam Epitaxy) =Epi+taxis 外延技术是在单晶衬底上，在合适的条件下沿衬底原来的结晶轴向生成一层晶格结构完整的新的单晶层的制膜方法。外延包括化学外延方法（CVD），液相外延（LPD）及分子束外延由外延方法获得的新生长的单晶层叫外延层。 若外延 层与衬底材料在结构性质上相似，则 称同质外延。若两材料在结构和性质上不同，则称为异质外延。 分子束外延是在超高真空环境中，把一定比例的构成晶体的组分和掺杂原子（分子）的气态束流，直接喷射到温度适应的衬底上，进行晶体外延生长的制膜方法. 该方法是七十年代在真空蒸发镀膜的基础上发展起来的。是真空镀膜技术的改进与提高。其特点是生长速度很慢（~1?m/h）生长温度较低（500~600?C），结构厚度组分与掺杂分布可控制，可生长极薄的单晶薄膜层。在微波器件、光电器件、多层结构器件、纳米材料、纳米电子学等领域有广泛应用。在硅半导体器件中，用于制作双极器件及其他有特殊要求的CMOS、DRAM器件。 * MBE原理 在超高真空条件下（10-8Pa）,将组成化合物的各种元素（如Ga、As）和掺杂剂元素分别放入不同的喷射炉内加热，使它们的原子（或分子）以一定的热运动速度和比例喷射到加热的衬底表面上，与表面进行相互作用并进行晶体薄膜的外延生长。分子束向衬底喷射，当蒸气分子与衬底表面为几个原子间距时，由于受到表面力场的作用而被吸附到衬底表面，并能沿表面进一步迁移，然后在适当的位置上释放出潜热，形成晶核或嫁接到晶格点上。但是也有可能因其能量大而重新返回到气相中。因此，在一定的温度下，吸附与解吸处于动态平衡。 粘附系数：常以粘附系数来