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532nm激光刻槽隔离晶体硅太 阳电池的实验研究 中山大学太阳能系统研究所 陈开汉 叶子锐 沈辉 中山大学太阳能系统研究所 主要内容  一、实验目的  二、实验方案与表征手段  三、实验结果与分析  四、批量实验的结果  五、全文总结 中山大学太阳能系统研究所 一、实验目的 1，利用532nm激光器在晶体硅太阳电池上表面开槽，切断 p-n结连接，使得开槽包围的区域与主体太阳电池隔离开。 2，工艺目标是：刻槽深度≤30um， 光诱导电流≤10uA （未隔离区域约130uA） 中山大学太阳能系统研究所 二、实验方案与表征手段 2.1 激