氧分压对磁控溅射制备IGZO薄膜光电特性的影响.docxVIP

DOI: 10． 13290 / j． cnki． bdtjs． 2014． 02． 011 氧分压对磁控溅射制备 IGZO 薄膜光电特性的影响 吴海波1，2 ，董承远1 ，林世宏2 ，吴娟1，2 ( 1. 上海交通大学 电信与电气工程学院，上海 200093; 2. 龙腾光电 ( 昆山) 有限公司，江苏 昆山 215300) 摘要: 通过磁控溅射技术在玻璃基板上制备氧化铟镓锌 ( IGZO) 薄膜，为了研究不同氧分 压对 IGZO 薄膜结构及光电特性的影响，在不同的氧分压 0，0. 015，0. 06 和 0. 24 Pa 下制备了不 同样品。样品的沉积速率、成分结构、面电阻及光电性质分别用椭偏仪、X 射线光电子能谱 ( XPS) 和四点探针等方法进行了测量。实验结果表明，随着氧分压的增大，IGZO 薄膜的沉积速 率呈下降趋势，不同氧分压的 IGZO 薄膜的元素比例 ( In∶ Ga∶ Zn) 差异不大，在可见光的范围 内其氧分压为0 Pa以上时，IGZO 薄膜平均透过率均超过 80% ，阻值随氧分压的增加而增大。制 作了不同氧分压以 IGZO 为沟道层的薄膜晶体管，其迁移率为 5. 93 ～ 9. 42 cm2 ·V － 1 ·s － 1 ，阈值 电压为 3. 8 ～ 9. 2 V。 关键词: 氧化铟镓锌 ( IGZO) 薄膜; 薄膜晶体管 ( TFT) ; 磁控溅射; 氧分压; 光电特性 中图分类号: TN304. 21 文献标识码: A 文章编号: 1003 － 353X ( 2014) 02 － 0132 － 05 Effects of Oxygen Partical Pressures on the Optical and Electrical Properties of IGZO Films Deposited by Magnetron Sputtering Wu Haibo1 ，2 ，Dong Chengyuan1 ，Lin Shihong2 ，Wu Juan1 ，2 ( 1. School of Electronic Information and Electrical Engineering，Shanghai Jiao Tong University，Shanghai 200093，China; 2. Infovision Optoelectronics ( Kunshan) Co． ，Ltd． ，Kunshan 215300，China) Abstract: Indium gallium zinc oxide ( IGZO) films were deposited on glass substrates by magnetron sputtering． In order to study the effects of different oxvgen partial pressures on the structures and optical-e- lectrical properties of IGZO films，the samples were prepared under four oxygen partial pressures of 0， 0. 015，0. 06 and 0. 24 Pa． The deposition rate， structure， surface resistance， optical and electrical properties were measured by ellipsometer，X-ray photoelectron spectroscopy ( XPS) and four point probe method． The experimental results show that the deposition rate of IGZO films decreases with the increase of oxygen partial pressures，the atomic composition ( In ∶ Ga ∶ Zn ) behaves no difference，the average transmittance of IGZO films is over 80% in visible range when the oxygen partial pressure is more than 0 Pa，and the resistance of the IGZO films increases with the inc