元器件单粒子效应加速器试验中的新现象.pdfVIP

2010 年第二十三届全国空间探测学术交流会论文 元器件单粒子效应加速器试验中的新现象 1, 2, 1 1 1 1 张战刚 刘 杰 侯明东 孙友梅 常海龙 段敬来1 莫 丹1 姚会军1 1 （中国科学院近代物理研究所，兰州 730000 ） 2 （中国科学院研究生院，北京 100049 ） （E-mail ：zhangang@impcas.ac.cn ；j.liu@impcas.ac.cn ） 摘 要：随着元器件敏感节点临界电荷的降低，荷能质子不仅可以通过在半导体器件中的 核反应，而且还可以通过直接电离引起元器件单粒子效应。多层金属布线的使用加深了核反应 对重离子单粒子效应的影响。利用具有相同 LET 值，种类和能量不同的重离子测试相同器件可 以获得不同的单粒子翻转截面值。因此，元器件集成度的增加，其单粒子效应加速器测试中出 现新的现象，对元器件的在轨事件率预测方法提出了新的要求。 关键词：元器件；单粒子效应；质子；重离子；核反应 1 引言 空间辐射环境中的高能质子和重离子主要来源于地磁场俘获带、太阳粒子事件 和银河宇宙射线。地磁场俘获带主要由地球周围的磁力线所俘获的电子、质子和少 [1] 量低能重离子组成，在南大西洋异常区（SAA ）存在通量密度异常高的高能质子 ； 太阳粒子事件是指太阳短时间内的能量粒子喷发，有 11 年的变化周期，产生质子和 [2] 少量重核 ；银河宇宙射线来源于太阳系以外，由原子核或高度剥离的离子组成， 其中质子占 85%，α粒子占 14%，原子序数为3 到92 的重离子占1%。这些高能质 子和重离子通过与空间电子学系统中的半导体器件的相互作用，在器件灵敏区（SV） 沉积足够的能量，引起单粒子效应（SEE ），对空间电子学系统的正常工作造成巨大 的威胁。 荷能重离子主要通过与靶原子核外电子的相互作用产生直接电离，在器件灵敏 区及附近产生电子-空穴对，这些电荷通过漂移和扩散方式被器件的敏感节点收集， 当收集的电荷超过敏感节点的临界电荷时，就会引起器件的逻辑状态改变，出现一 次单粒子翻转（SEU ）。单粒子事件率随入射离子在材料中的线性能量转移（LET ） 的变化而变化。 高能质子通常不能像重离子一样由直接电离产生单粒子效应，它主要通过与靶 核的非弹性相互作用，即核反应产生的重碎片而引起单粒子效应；其单粒子翻转截 面依赖于入射质子的能量。 然而，现代大规模集成电路（LSI ）的发展趋势是：集成度不断提高，器件特征 [3] 尺寸不断降低，敏感节点间距减小，供电电压降低等 ，这些都导致敏感节点的临 界电荷进一步降低，对单粒子效应越来越敏感。Heidel 等[4, 5] 的研究结果表明，65 nm SOI （Silicon-on-insulator ）器件的临界电荷低于1 fC，低能质子可能通过直接电离引 起单粒子翻转。 2010 年第二十三届全国空间探测学术交流会论文 另外，实验证明器件上方的多层金属布线对于单粒子效应也产生影响。这些导 致被普遍接受的质子和重离子单粒子效应发生的机制多样化，也对元器件单粒子效 应加速器模拟试验方法和在轨事件率预测方法提出了新的挑战。下面针对几种单粒 子效应测试中出现的新现象进行讨论。 2 质子直接电离引起翻转 2 通过 SRIM 程序计算得到，质子在硅中的最大LET 值约为 0.54 MeV·cm /mg 。 与重离子相比，质子具有较低的 LET 值，在硅器件中的直接电离对单粒子效应的贡 献处于相对次要的地位。但是，存储单元临界电