复旦半导体材料.pdfVIP

硅和锗中的缺陷 随着超大规模集成电路技术的发展，特别是 集成电路的特征尺寸越来越小，进入到nm尺 寸以后，对硅单晶的完整性提出了更高的要 求。大量事实表明，半导体材料中的各类缺 陷的存在对其性质，以及器件成品率等都具 有重大的影响。所以我们将介绍硅和锗单晶 中各类原生缺陷的形态、产生原因以及控制 方法等。此外还将讨论在材料加工过程中产 生的二次缺陷和微缺陷及其对材料性能的影 响。 1 硅和锗晶体中的缺陷通常可分为下面几类： 1. 点缺陷: 这是一些几何尺寸上可以同点阵原子 大小相比拟的缺陷。比如空位、间隙原子、 空位对和聚集体等； 2. 线缺陷: 位错； 3. 面缺陷：晶界、孪晶界、堆垛层错、相界和 晶体表面等； 4. 体缺陷：孔洞、夹杂物或第二相团等； 5. 微缺陷：旋涡缺陷等，其几何尺寸多为微米 或亚微米数量级。 2 点缺陷 点缺陷是晶体中的主要缺陷类型之一。它的 产生、运动、聚集以及和其他缺陷的相互作 用，不仅可构成新的缺陷组态，而且微量杂质 点缺陷的引入，就可显芳地改变晶体的电导串 或导电类型；此外，对点缺陷迁移运动的研 究，将对晶体中杂质扩散机制获得更深入的认 识。晶体中微缺陷的存在，也与点缺陷的产生 和聚集密切相关。 点缺陷主要有2种：杂质点缺陷和热点缺陷。 3 杂质点缺陷：人们不可能获得绝对纯净的单晶 体，杂质的沾污总是不可避免的。尤其是在高 温下制备晶体过程中，外来杂质就更容易引入。 其数量不仅与所用原料的纯度及生长环境的条 件有关，而且与掺入杂质的分凝系数有关。外 来杂质既可以在格点位置上也可以在间隙位置 上存在，它们构成了晶体中的杂质点缺陷。 热点缺陷：在温度作用下，晶体点阵格点上 的原子／或离子有可能脱离格点位置而跑到邻 近的点阵空隙中，当这种原子将多余的动能失 去之后，就被束缚在那里。而使晶体中出现了 空位和填隙原子对。 4 这种成对产生的点缺陷称为弗仑克尔(Frenkel)缺 陷。如果原子脱离格点后，并不以填隙原子的 方式存在于晶体内部，而是运动到晶体表面， 这时在晶体中只留下一个空位，这种缺陷称为 肖特基缺陷。 5 上述缺陷的产生与温度直接相关，它们在物 理过程上是可逆的，即温度增加．此类缺陷数 日增多，反之则减少．因此义称其为热点缺陷。 应用统计方法可计算出空位的数目为： n N exp(E / k T ) v vf B 间隙原子的数目： n N * exp(E / k T ) i if B 式中N和N*分别是单位体积中的原子数和间隙 位置数，E 和E 分别是一个空位和一个间隙原 vf if 子的形成能。 6 弗仑克尔缺陷的数目为： n NN * exp(E / k T ) F